NTR1P02T1G
NTR1P02T1G屬性
- 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 FET,MOSFET 單 FET,MOSFET
- SOT-23-3
- ON
NTR1P02T1G描述
類(lèi)別
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管
FET,MOSFET
單 FET,MOSFET
制造商
onsemi
系列
-
包裝
卷帶(TR)
剪切帶(CT)
FET 類(lèi)型
P 通道
技術(shù)
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
20 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
1A(Ta)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值)
180 毫歐 @ 1.5A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值)
2.5 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)
165 pF @ 5 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
400mW(Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類(lèi)型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
SOT-23-3(TO-236)
封裝/外殼
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3