STGD6NC60HDT4

• 發(fā)布時(shí)間：2023/2/14 9:50:15
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市騰浩偉業(yè)電子有限公司

STGD6NC60HDT4屬性

STGD6NC60HDT4描述

參數(shù)名稱 參數(shù)值
Source Content uid STGD6NC60HDT4
Brand Name STMicroelectronics
生命周期 Active
Objectid 2064706592
零件包裝代碼 TO-252AA
包裝說明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
針數(shù) 3
Reach Compliance Code not_compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 52 weeks
風(fēng)險(xiǎn)等級 1.59
Samacsys Description N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT
Samacsys Manufacturer STMicroelectronics
Samacsys Modified On 2022-08-30 06:25:59
YTEOL 5.43
最大集電極電流 (IC) 15 A
集電極-發(fā)射極最大電壓 600 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
門極發(fā)射器閾值電壓最大值 5.75 V
門極-發(fā)射極最大電壓 20 V
JEDEC-95代碼 TO-252AA
JESD-30 代碼 R-PSSO-G2
JESD-609代碼 e3
元件數(shù)量 1
端子數(shù)量 2
最高工作溫度 150 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 56 W
認(rèn)證狀態(tài) Not Qualified
子類別 Insulated Gate BIP Transistors
表面貼裝 YES
端子面層 TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶體管應(yīng)用 POWER CONTROL
晶體管元件材料 SILICON
標(biāo)稱斷開時(shí)間 (toff) 222 ns
標(biāo)稱接通時(shí)間 (ton) 17.3 ns

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