H5TQ4G63AFR-PBC
H5TQ4G63AFR-PBC屬性
- FBGA96
- HYNIX/海力士
H5TQ4G63AFR-PBC描述
是否Rohs認(rèn)證 符合 符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1239227724
零件包裝代碼 BGA
包裝說明 TFBGA, BGA96,9X16,32
針數(shù) 96
Reach Compliance Code unknown
ECCN代碼 EAR99
HTS代碼 8542.32.00.36
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) 9.56
訪問模式 MULTI BANK PAGE BURST
最長(zhǎng)訪問時(shí)間 0.225 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH
最大時(shí)鐘頻率 (fCLK) 800 MHz
I/O 類型 COMMON
交錯(cuò)的突發(fā)長(zhǎng)度 4,8
JESD-30 代碼 R-PBGA-B96
長(zhǎng)度 13 mm
內(nèi)存密度 4294967296 bit
內(nèi)存集成電路類型 DDR DRAM
內(nèi)存寬度 16
功能數(shù)量 1
端口數(shù)量 1
端子數(shù)量 96
字?jǐn)?shù) 268435456 words
字?jǐn)?shù)代碼 256000000
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作溫度 85 °C
最低工作溫度
組織 256MX16
輸出特性 3-STATE
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝代碼 TFBGA
封裝等效代碼 BGA96,9X16,32
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流溫度(攝氏度) NOT SPECIFIED
電源 1.5 V
認(rèn)證狀態(tài) Not Qualified
刷新周期 8192
座面最大高度 1.2 mm
自我刷新 YES
連續(xù)突發(fā)長(zhǎng)度 4,8
最大待機(jī)電流 0.017 A
子類別 DRAMs
最大壓擺率 0.22 mA
最大供電電壓 (Vsup) 1.575 V
最小供電電壓 (Vsup) 1.425 V
標(biāo)稱供電電壓 (Vsup) 1.5 V
表面貼裝 YES
技術(shù) CMOS
溫度等級(jí) OTHER
端子形式 BALL
端子節(jié)距 0.8 mm
端子位置 BOTTOM
處于峰值回流溫度下的最長(zhǎng)時(shí)間 NOT SPECIFIED
寬度 9 mm
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