CS2106L

• 發(fā)布時(shí)間：2014/9/10 15:54:18
• 所屬類別：電感、線圈 » 線繞電感
• 公    司：深圳恒信鴻達(dá)電子有限公司

CS2106L 屬性

CS2106L 描述

賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 10 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第十一屆年度Top-10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)。Si7655DN是業(yè)內(nèi)首款采用3.3mm x 3.3mm封裝的20V P溝道MOSFET，在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻只有4.8mΩ，也是采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK® 1212封裝的首款器件。

《今日電子》的編輯根據(jù)創(chuàng)新的設(shè)計(jì)、在技術(shù)或應(yīng)用方面取得顯著進(jìn)步，以及性價(jià)比的卓越表現(xiàn)，從前一年推出的數(shù)百款產(chǎn)品中進(jìn)行評(píng)選。Vishay的Si7655DN MOSFET因其創(chuàng)新，以及在適配器、電池、負(fù)載開關(guān)和電源管理應(yīng)用中取得的成功而入選。



《今日電子》Top-10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)在9月12日北京國(guó)賓 店舉行的電源技術(shù)研討會(huì)上頒發(fā)。Vishay北京辦事處的銷售客戶經(jīng)理Alice Wei代表Vishay領(lǐng)獎(jiǎng)。
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OVP2200
SOI268 / 2681 BW
SOI268 / 2681 IR
SOI763A
SQ608-L
SQ908-L

Si7655DN使用新的PowerPAK 1212封裝版本和Vishay Siliconix業(yè)內(nèi)領(lǐng)先P溝道Gen III技術(shù)，最大導(dǎo)通電阻為3.6mΩ(-10V)、4.8mΩ(-4.5V)和8.5mΩ(-2.5 V)。這些性能規(guī)格比最接近的-20V器件高17%或更多。

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