MSS1038-563MLC

• 發(fā)布時(shí)間：2014/9/10 15:54:18
• 所屬類別：電感、線圈 » 線繞電感
• 公    司：深圳恒信鴻達(dá)電子有限公司

MSS1038-563MLC 屬性

MSS1038-563MLC 描述

在正常操作模式中，OUT電壓等于輸入電源電壓。當(dāng)C1滿充電時(shí)，IC1在這一點(diǎn)上為零。在這種情況下，利用一個(gè)5.7V并聯(lián)穩(wěn)壓器對(duì)OUT和VSS引腳之間的電壓進(jìn)行箝位。(輸入電源電壓–5.7V)被加至RSS上。RSS電流被分為三塊：5.7V分路電流、OUT和VSS之間的偏置電流以及最終的RIN電流。5.7V分路電流可高達(dá)10mA，大大超過了典型的OUT(160A)偏置電流。

開機(jī)時(shí)序
在輸入電源上升之后，VDD和VSS引腳之間的電壓并聯(lián)將調(diào)節(jié)至12V。接著，在內(nèi)部生成的電源VCC產(chǎn)生一個(gè)30s的上電復(fù)位脈沖，該脈沖將進(jìn)行故障鎖存器的清零以及內(nèi)部鎖存器的初始化。然后，停機(jī)比較器確定SD引腳是否被外部拉至低電平，如果“是”則請(qǐng)求進(jìn)入一種低偏置電流停機(jī)狀態(tài)。否則將允許外部MOSFETM1開通。OV7960-C48P
OV7960-E62W
OV7962-E62A
OV7962-E62Y
OV8610
OV8810-A67A
OV9121
OV9630
OV9653-V28A
OV9655-V28A
OV9660
OV9665
OV9710-HDDV
OV9712-V28A
OV9715-V28A
OV9715-F48Y
OV9726-A40A
OV9740-A46A
OV9810-A70A
OV14825-A16A
OV4680
OVP2200
SOI268 / 2681 BW
SOI268 / 2681 IR
SOI763A
SQ608-L
SQ908-L


從VDD引腳接入，通過7.5AGATE上拉電流源給MOSFET柵極上電，這種方法被稱為“自舉”的方法。當(dāng)GATE電壓達(dá)到VDD引腳電壓(減去一個(gè)肖特基二極管壓降)時(shí)，7.5A電流源將失去電壓降并停止向GATE充電(圖2中間的那個(gè)波形)。自舉法依賴于在GATE引腳電壓停止上升之后將C1充電至一個(gè)足夠的電壓。C1上的電壓隨后用作一個(gè)充電泵的電源，此充電泵負(fù)責(zé)把柵極充電至其終值(即：OUT+12V)。如果充電泵電流超過C1充電電流，則C1將放電。倘若C1電壓低于4.35V以下，則充電泵將暫停操作，并讓C1再充電。

MSS1038-563MLC 相關(guān)產(chǎn)品

MSS1038-473MLC

LTC4366浪涌抑制器可保護(hù)負(fù)載免遭高壓瞬變的損壞。通過控制一個(gè)外部N溝道MOSFET的柵極，LTC4366可在過壓瞬變過程中調(diào)節(jié)輸出。在MOSFET兩端承載

MSS1038-393MLC

業(yè)界首款集成肖特基且具有低漏電流性能的MOSFET    中國(guó)上海，2013年9月24日訊——恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconducto

MSS1038-333MLC

數(shù)字供電采用的排感    數(shù)字排感同樣是數(shù)字供電一個(gè)非常明顯的特征。常見的模擬供電，都采用了單個(gè)封裝的電感，體積比較大，占用PCB面積比較大

D1869L

數(shù)字供電和常見的模擬供電不同，前者采用了數(shù)字PWM，體積更小的整合了數(shù)字MOSFET和DRIVER的芯片，以及體積更小的數(shù)字排感，搭配多個(gè)MLCC；而模擬供電不

MSS1038-683MLC

如果電源開通并在大負(fù)載情況下不能把C1充起來，就有可能導(dǎo)致過熱現(xiàn)像的發(fā)生，并隨之造成器件受損。在柵極和輸出斜坡上升時(shí)，MOSFET兩端的壓降為輸入電源電壓減去輸

MSS1038-104MLC

停機(jī)  LTC4366具有一種低電流(<20A)停機(jī)狀態(tài)，該狀態(tài)可通過利用一個(gè)開關(guān)電阻把GATE和OUT引腳連接在一起以關(guān)斷傳輸FET。在正常操作條件

MSS1038-124KLC

電阻器額定功率  必須考慮圖1中RSS電阻器的正確額定值。在過壓期間，OUT引腳處于調(diào)節(jié)電壓(VREG)，因此RSS兩端的電壓為VREG–5.7V。一

MSS1038-154KLC

中國(guó)，2013年8月13日 —— 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：S