ADRF5545ATDD通信系統(tǒng)集成雙通道RF前端
發(fā)布時(shí)間:2019/6/4 11:47:23 訪問次數(shù):4298
adrf5545a是一款雙通道
集成射頻(rf)前端多芯片模塊
專為時(shí)分雙工(tdd)應(yīng)用而設(shè)計(jì)
工作頻率范圍為2.4 ghz至4.2 ghz
- 51電子網(wǎng)公益庫存:
- 24LC256
- ADF4002BCPZ
- ADP1755ACPZ-R7
- FIN1001
- S4225B
- S4225T
- S4422
- S4425M
- S4435
- SKY13335-381LF
- SN74LVC1G3157
- OC5036
- OC5205
- UCC2305DW
- UCC27524DR
- L-ET1011C2-CI-D
- HMC998APM5E
- L64381
- AD5447YRUZ
- A3932SLDTR-T
adrf5545a采用雙通道配置
具有級(jí)聯(lián)兩級(jí)低噪聲放大器(lna)
高功率硅單刀雙擲(spdt)開關(guān)。
在高增益模式下
級(jí)聯(lián)兩級(jí)lna和開關(guān)提供1.45 db的低噪聲系數(shù)(nf)
3.6 ghz時(shí)的高增益32 db
輸出三階交調(diào)截點(diǎn)(oip3)為32 dbm(典型值) )
在低增益模式下
兩級(jí)lna的一級(jí)處于旁路狀態(tài)
在36 ma的較低電流下提供16 db的增益
在掉電模式下
lna關(guān)閉
器件消耗12 ma
在發(fā)送操作中
當(dāng)rf輸入連接到終端引腳(term-cha或term-chb)
交換機(jī)提供0.65 db的低插入損耗并處理長期演進(jìn)(lte)
平均功率(峰值平均為9 db)比率(par))
對(duì)于全壽命操作為40 dbm
對(duì)于單事件(<10秒)lna保護(hù)操作為43 dbm。
該器件采用符合rohs標(biāo)準(zhǔn)的緊湊型6 mm×6 mm
40引腳lfcsp封裝。
應(yīng)用
無線基礎(chǔ)設(shè)施
tdd大規(guī)模多輸入多輸出和有源天線系統(tǒng)
基于tdd的通信系統(tǒng)
優(yōu)勢(shì):
集成雙通道rf前端
2級(jí)lna和高功率spdt開關(guān)
片上偏置和匹配
單一供應(yīng)操作
獲得
高增益模式:
3.6 ghz時(shí)典型值為32 db
低增益模式:
3.6 ghz時(shí)典型值為16 db
噪音低
高增益模式:
3.6 ghz時(shí)典型值為1.45 db
低增益模式:
3.6 ghz時(shí)典型值為1.45 db
高隔離度
rxout-cha和rxout-chb:
典型值為47 db
term-cha和term-chb:
典型值為52 db
低插入損耗:
3.6 ghz時(shí)典型值為0.65 db
特點(diǎn):
tcase = 105°c時(shí)的高功率處理
終生
lte平均功率(9 db par):
40 dbm
單一事件(<10秒操作)
lte平均功率(9 db par):
43 dbm
高oip3:
典型值為32 dbm
lna的掉電模式和低增益模式
供電電流低
高增益模式:
5 v時(shí)典型值為86 ma
低增益模式:
5 v時(shí)典型值為36 ma
掉電模式:
5 v時(shí)典型值為12 ma
正邏輯控制
6 mm×6 mm
40引腳lfcsp封裝
(素材來源:analog.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
adrf5545a是一款雙通道
集成射頻(rf)前端多芯片模塊
專為時(shí)分雙工(tdd)應(yīng)用而設(shè)計(jì)
工作頻率范圍為2.4 ghz至4.2 ghz
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adrf5545a采用雙通道配置
具有級(jí)聯(lián)兩級(jí)低噪聲放大器(lna)
高功率硅單刀雙擲(spdt)開關(guān)。
在高增益模式下
級(jí)聯(lián)兩級(jí)lna和開關(guān)提供1.45 db的低噪聲系數(shù)(nf)
3.6 ghz時(shí)的高增益32 db
輸出三階交調(diào)截點(diǎn)(oip3)為32 dbm(典型值) )
在低增益模式下
兩級(jí)lna的一級(jí)處于旁路狀態(tài)
在36 ma的較低電流下提供16 db的增益
在掉電模式下
lna關(guān)閉
器件消耗12 ma
在發(fā)送操作中
當(dāng)rf輸入連接到終端引腳(term-cha或term-chb)
交換機(jī)提供0.65 db的低插入損耗并處理長期演進(jìn)(lte)
平均功率(峰值平均為9 db)比率(par))
對(duì)于全壽命操作為40 dbm
對(duì)于單事件(<10秒)lna保護(hù)操作為43 dbm。
該器件采用符合rohs標(biāo)準(zhǔn)的緊湊型6 mm×6 mm
40引腳lfcsp封裝。
應(yīng)用
無線基礎(chǔ)設(shè)施
tdd大規(guī)模多輸入多輸出和有源天線系統(tǒng)
基于tdd的通信系統(tǒng)
優(yōu)勢(shì):
集成雙通道rf前端
2級(jí)lna和高功率spdt開關(guān)
片上偏置和匹配
單一供應(yīng)操作
獲得
高增益模式:
3.6 ghz時(shí)典型值為32 db
低增益模式:
3.6 ghz時(shí)典型值為16 db
噪音低
高增益模式:
3.6 ghz時(shí)典型值為1.45 db
低增益模式:
3.6 ghz時(shí)典型值為1.45 db
高隔離度
rxout-cha和rxout-chb:
典型值為47 db
term-cha和term-chb:
典型值為52 db
低插入損耗:
3.6 ghz時(shí)典型值為0.65 db
特點(diǎn):
tcase = 105°c時(shí)的高功率處理
終生
lte平均功率(9 db par):
40 dbm
單一事件(<10秒操作)
lte平均功率(9 db par):
43 dbm
高oip3:
典型值為32 dbm
lna的掉電模式和低增益模式
供電電流低
高增益模式:
5 v時(shí)典型值為86 ma
低增益模式:
5 v時(shí)典型值為36 ma
掉電模式:
5 v時(shí)典型值為12 ma
正邏輯控制
6 mm×6 mm
40引腳lfcsp封裝
(素材來源:analog.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
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