adrv9029采用14mmx14mm 289凸的csp_bga封裝.主要用在3g/4g/5g tdd和fdd大規(guī)模多輸入多輸出(mimo), 宏小區(qū)和小小區(qū)基站.

l9026是可配置8路繼電器驅(qū)動器,具有2路固定hs驅(qū)動器和6路可配置的hs/ls驅(qū)動器,設(shè)計用于汽車應(yīng)用(led和繼電器),和電阻,電感和電容負(fù)載兼容.

器件提供先進的診斷和保護功能如對地(gnd)短路,開路,過流和超溫檢測.8個輸出通路可由spi或多或2個專用并行輸入來驅(qū)動.器件還具有跛行功能特性,特殊故障條件下如spi故障,微故障或電源uv時允許采用2個選擇驅(qū)動器.

制造商:diodes incorporated 產(chǎn)品種類:mosfet 技術(shù):si 安裝風(fēng)格:smd/smt 封裝 / 箱體:powerdi3333-8 晶體管極性:p-channel 通道數(shù)量:1 channel vds-漏源極擊穿電壓:40 v id-連續(xù)漏極電流:7.2 a rds on-漏源導(dǎo)通電阻:18 mohms vgs - 柵極-源極電壓:- 20 v, + 20 v vgs th-柵源極閾值電壓:1.8 v qg-柵極電荷:33.7 nc 最小工作溫度:- 55 c 最大工作溫度:+ 150 c pd-功率耗散:810 mw 通道模式:enhancement 封裝:cut tape 封裝:mousereel 封裝:reel 配置:single 晶體管類型:1 p-channel 商標(biāo):diodes incorporated 正向跨導(dǎo) - 最小值:16.6 s 下降時間:30.9 ns 產(chǎn)品類型:mosfet 上升時間:14.7 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:mosfets 典型關(guān)閉延遲時間:53.7 ns 典型接通延遲時間:6.9 ns 單位重量:30 mg

gan晶體管開關(guān)性能出色，工作頻率更高，能效更高，散熱發(fā)熱更少，設(shè)計人員可以選用尺寸更小的磁性組件和散熱器，設(shè)計更小、更輕的電源、充電器和適配器。

mastergan4非常適用于對稱半橋拓?fù)湟约败涢_關(guān)拓?fù)�，例如，有源鉗位反激式和有源鉗位正激式變換器。

4.75v-9.5v的寬電源電壓方便mastergan4連接到現(xiàn)有電源軌。內(nèi)置保護功能包括柵極驅(qū)動器互鎖、高低邊欠壓鎖定(uvlo)以及過熱保護，可進一步簡化應(yīng)用設(shè)計。還有一個專用的關(guān)斷引腳。

作為這次產(chǎn)品發(fā)布的一部分，一個mastergan4原型開發(fā)板(evalmastergan4)。

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