高速 BiCMOS 控制器
發(fā)布時(shí)間:2022/7/5 15:39:46 訪問(wèn)次數(shù):469
ucc3810-die
雙通道同步電流模式 pwm 芯片
優(yōu)特點(diǎn):
單振蕩器同步兩個(gè) pwm
啟動(dòng)電源電流
工作電源電流
內(nèi)部軟啟動(dòng)
全周期故障重啟
電流檢測(cè)信號(hào)的內(nèi)部前沿消隱
從電流檢測(cè)到輸出的典型響應(yīng)為 75ns
1.5% 容差電壓基準(zhǔn)
產(chǎn)品描述:
ucc3810-die
是一款高速 bicmos 控制器,
集成了兩個(gè)同步脈沖寬度調(diào)制器,
用于離線和 dc-dc 電源。
通過(guò)使用相同的振蕩器在兩個(gè) pwm 之間
提供完美的同步。 如果需要,
振蕩器的鋸齒波可用于斜率補(bǔ)償。
使用切換觸發(fā)器在調(diào)制器之間交替,
確保一個(gè) pwm 不會(huì)從屬、
干擾或以其他方式影響另一個(gè) pwm。
該觸發(fā)觸發(fā)器還確保每個(gè) pwm
被限制在 50% 的最大占空比,
確保有足夠的關(guān)斷時(shí)間來(lái)復(fù)位磁性元件。
來(lái)源:ti。版權(quán)歸原作者。
ucc3810-die
雙通道同步電流模式 pwm 芯片
優(yōu)特點(diǎn):
單振蕩器同步兩個(gè) pwm
啟動(dòng)電源電流
工作電源電流
內(nèi)部軟啟動(dòng)
全周期故障重啟
電流檢測(cè)信號(hào)的內(nèi)部前沿消隱
從電流檢測(cè)到輸出的典型響應(yīng)為 75ns
1.5% 容差電壓基準(zhǔn)
產(chǎn)品描述:
ucc3810-die
是一款高速 bicmos 控制器,
集成了兩個(gè)同步脈沖寬度調(diào)制器,
用于離線和 dc-dc 電源。
通過(guò)使用相同的振蕩器在兩個(gè) pwm 之間
提供完美的同步。 如果需要,
振蕩器的鋸齒波可用于斜率補(bǔ)償。
使用切換觸發(fā)器在調(diào)制器之間交替,
確保一個(gè) pwm 不會(huì)從屬、
干擾或以其他方式影響另一個(gè) pwm。
該觸發(fā)觸發(fā)器還確保每個(gè) pwm
被限制在 50% 的最大占空比,
確保有足夠的關(guān)斷時(shí)間來(lái)復(fù)位磁性元件。
來(lái)源:ti。版權(quán)歸原作者。
熱門(mén)點(diǎn)擊
- 過(guò)零比較器電路 電壓傳輸特性
- 滯回比較器同相輸入端電位圖
- MEMS流量傳感器
- SONET光纖通道GigE 時(shí)針?lè)峙涓咝阅軘?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換
- 抗輻射、7V、6A 同步降壓轉(zhuǎn)換器
- 單通道高亮度 LED (HB LED) 驅(qū)動(dòng)
- Arm® Cortex®-R4 處理器
- 同步降壓 LED 控制 升壓控制器
- 集成子層 10BASE-T 和 100BASE-TX
- 同步高壓 4 開(kāi)關(guān)降壓升壓 LED 控制器
推薦電子資訊
- 新款321層NAND閃存工藝技術(shù)及應(yīng)用技術(shù)
- 全新車(chē)用RGBIR攝像頭模組應(yīng)用參數(shù)設(shè)計(jì)
- 車(chē)規(guī)級(jí)60 V N通道創(chuàng)新槽溝技術(shù)研究
- 信號(hào)與頻譜分析儀 FSW技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)及應(yīng)用
- 氮化鎵MOSFET結(jié)構(gòu)關(guān)鍵技術(shù)介紹
- SoC射頻芯片Sub-GHz頻段射頻調(diào)制方式
- WAPI屢遭排斥利益不相關(guān)注定的尷尬
- WAPI技術(shù)拖后腿英雄氣短
- 外資發(fā)展趨勢(shì)及對(duì)我國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)的影響
- 彩電:能否憑“芯”論英雄?
- 透析AMD再度大降價(jià)明星產(chǎn)品
- 新華網(wǎng):真假雙核芯片之爭(zhēng)爭(zhēng)什么