數(shù)據(jù)列表 LM94023
產(chǎn)品相片 4-TuSMD, TMD04CEA
PCN 組件/產(chǎn)地 Wafer Process BCB Elimnation 12/Feb/2014
制造商產(chǎn)品頁 LM94023BITME/NOPB Specifications
標(biāo)準(zhǔn)包裝 ? 250
類別 傳感器，變送器
家庭 溫度傳感器，變送器
系列 PowerWise®
包裝 ? 帶卷（TR） ?
感應(yīng)溫度 -50°C ~ 150°C
輸出類型 推挽式
電壓 - 電源 1.5 V ~ 5.5 V
精度 ±2.7°C
封裝/外殼 4-WFBGA，DSBGA
供應(yīng)商器件封裝 4-DSBGA
產(chǎn)品目錄頁面 1314 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱 LM94023BITME/NOPBTR
LM94023BITMENOPB
LM94023BITMETR
LM94023BITMETR-ND
世上沒有白吃的午餐。雖說DDR4具有上述的優(yōu)點(diǎn)，但在應(yīng)用上卻有額外的負(fù)擔(dān)。
首先，跟DDR3相比，DDR4讀寫指令需要更長的啟動時間周期(Read Latency或Write Latency，也就是讀寫指令下達(dá)后，需花費(fèi)多少時間周期，數(shù)據(jù)才會出現(xiàn)在接口上)。因此在相同頻率下，DDR4的讀寫效率會比DDR3低。這其實(shí)是可以理解的。隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)的提升，內(nèi)存對外的接口邏輯電路的速度也越變越快，但內(nèi)存內(nèi)部的反應(yīng)速度卻沒有增加，因此對外部的控制電路而言，DDR4的讀寫指令需要更長的時間周期才能被啟動。換句話說，DDR4的輸入頻率頻率或許可以比DDR3快上一倍，但內(nèi)存的反應(yīng)速度并沒有增快一倍，因此只好定義更多的讀寫起始周期來因應(yīng)。若因?yàn)橄到y(tǒng)的限制，使得DRAM的輸入頻率無法達(dá)到太高的頻率時，DDR3的讀寫效率會比DDR4來得好。其實(shí)從DDR2進(jìn)展到DDR3時也有類似的問題發(fā)生。新一代的內(nèi)存在剛推出的時候，價格不但偏高，同頻操作下的效率又比舊型內(nèi)存差，總要過一段時間，市場對高速內(nèi)存的需求升高，再加上產(chǎn)能提升帶動單位內(nèi)存價格的下降，才會真正達(dá)到世代交替。
其次，DDR3有8個獨(dú)立內(nèi)存組(bank)，每個bank可獨(dú)立接收讀寫指令。控制DRAM的邏輯電路若妥善安排內(nèi)存地址，可以減少相鄰讀寫指令間等待的時間，降低數(shù)據(jù)總線額外閑置的機(jī)率，提高傳輸?shù)男�。DDR4雖然增加內(nèi)存組數(shù)為16，但卻加入內(nèi)存群組(bank group)的限制。不同bank但若屬于同一個bank group，連續(xù)讀寫指令間必須增加等待時間周期，造成數(shù)據(jù)總線的閑置機(jī)率升高，傳輸效能降低。在此種限制下，如何充分利用數(shù)據(jù)總線以達(dá)成最高效率，對于控制DDR4的邏輯電路設(shè)計是新的挑戰(zhàn)。
目前各DRAM大廠已陸續(xù)推出DDR4的內(nèi)存模塊，LM94023BITMX英特爾最新個人計算機(jī)旗艦平臺—Haswell-E搭配X99芯片組全面支持DDR4，價格上比相似規(guī)格的DDR3貴上20~50%，實(shí)際使用起來卻感受不到太大的差別。其實(shí)內(nèi)存的執(zhí)行速度雖然重要，多數(shù)情況下并不是系統(tǒng)效能的瓶頸所在。因此，價格如果不能大幅降低，對桌面計算機(jī)的消費(fèi)者而言，改用DDR4的誘因不大。
