PIC18F67J11-I/PT TQFP64 原裝正品 發(fā)貨迅速
不少代工廠都宣稱已經(jīng)從意法半導(dǎo)體那里獲得了FD-SOI技術(shù)的授權(quán)，然后就再?zèng)]動(dòng)靜了。
GlobalFoundries在兩年前就發(fā)表了這樣的聲明，三星在去年的設(shè)計(jì)自動(dòng)化會(huì)議上也做出了類似的聲明，但是這兩家公司從那以后就再也沒有給出更多的關(guān)于FD-SOI的消息。當(dāng)然，關(guān)于14/16nm，人們最關(guān)注的還是FinFET，但事實(shí)上，把設(shè)計(jì)遷移到FinFET上的案例也相當(dāng)少。 很多設(shè)計(jì)還是停留在28nm或更大尺寸的工藝上（比如，臺(tái)積電重新設(shè)計(jì)了45nm和65nm工藝得出一個(gè)超低功耗的版本）。由于可以提供大部分20nm工藝才具備的特征，F(xiàn)D-SOI被視為可以擴(kuò)充28nm工藝的一個(gè)很好的方式，如果采用偏壓技術(shù)甚至可以實(shí)現(xiàn)更低的功耗，并且因?yàn)楸炔捎没迤矫孑^便宜所以成本也會(huì)稍微降低一些。特別是，我并沒看到物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備采用14/16nm SoC進(jìn)行設(shè)計(jì)，而更適合于模擬和射頻組件的28nm工藝更可能充當(dāng)拉動(dòng)這個(gè)市場(chǎng)成長(zhǎng)的動(dòng)力。
來回顧下工藝演進(jìn)的歷史。在尺寸下降到130nm之前，我們一直在縮小包括柵氧化層厚度在內(nèi)的所有尺寸，然后這條路開始走不通了。從那時(shí)起，開始在90nm工藝引入銅互連，65nm時(shí)引入低K電介質(zhì)，45nm時(shí)引入應(yīng)變硅技術(shù)，32/28nm時(shí)引入高K金屬柵極技術(shù)，基本上就是材料創(chuàng)新的編年史。到了20nm的平面工藝，已經(jīng)達(dá)到閘極長(zhǎng)度的縮放極限，此后業(yè)界從兩個(gè)方向展開結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，分別是FinFET和FD-SOI（最初是針對(duì)28nm的改進(jìn)）。FD-SOI面臨的挑戰(zhàn)之一是它目前僅獲得意法半導(dǎo)體的使用，客戶顯然希望看到其他的使用者。當(dāng)然，客戶需要考量很多因素，包括每個(gè)晶體管的單位成本、IP支持、性能，還有最重要的，就是低功耗。三星目前是世界排名第二（或者第三，取決于你的判斷角度）的代工廠，有了它的支持，可信度會(huì)提高很多。
上個(gè)月在東京舉行的FD-SOI和RF-SOI論壇上，PIC18F67J11-I/PT三星做了關(guān)于FD-SOI的演講。另外一個(gè)有趣的演示來自索尼，它采用了28nm FD-SOI進(jìn)行其RF設(shè)計(jì)。不過，事實(shí)是，客戶（不是指代工廠）已經(jīng)開始認(rèn)可這種工藝，這對(duì)FD-SOI生態(tài)系統(tǒng)而言確實(shí)是一個(gè)好消息。
