產品相片 TO-3P-3,TO-247-3
PCN 設計/規格 Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014
PCN 組件/產地 Wafer Fabrication 04/Feb/2013
PCN 封裝 Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
標準包裝 ?30
類別分立半導體產品
家庭 FET - 單
系列 UniFET™
包裝 ?管件 ?
FET 類型 MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能 標準
漏源極電壓（Vdss） 300V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 59A（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 56 毫歐 @ 29.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg） 100nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss） 4670pF @ 25V
功率 - 最大值 500W
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-3P-3，SC-65-3
供應商器件封裝 TO-3PN
制造商: Fairchild Semiconductor
產品種類: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 詳細信息
Id-連續漏極電流: 59 A
Vds-漏源極擊穿電壓: 300 V
Rds On-漏源導通電阻: 56 mOhms
晶體管極性: N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 : 30 V
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 W
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-3P-3
封裝: Tube
商標: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降時間: 200 ns
最小工作溫度: - 55 C
上升時間: 575 ns
系列: FDA59N30
工廠包裝數量: 30
典型關閉延遲時間: 120 ns
零件號別名: FDA59N30_NL
單位重量: 6.401 gFDA59N30數據列表 FDA59N30
產品相片 TO-3P-3,TO-247-3
PCN 設計/規格 Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014
PCN 組件/產地 Wafer Fabrication 04/Feb/2013
PCN 封裝 Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
標準包裝 ?30
類別分立半導體產品
家庭 FET - 單
系列 UniFET™
包裝 ?管件 ?
FET 類型 MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能 標準
漏源極電壓（Vdss） 300V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 59A（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 56 毫歐 @ 29.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg） 100nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss） 4670pF @ 25V
功率 - 最大值 500W
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-3P-3，SC-65-3
供應商器件封裝 TO-3PN
制造商: Fairchild Semiconductor
產品種類: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 詳細信息
Id-連續漏極電流: 59 A
Vds-漏源極擊穿電壓: 300 V
Rds On-漏源導通電阻: 56 mOhms
晶體管極性: N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 : 30 V
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 W
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-3P-3
封裝: Tube
商標: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降時間: 200 ns
最小工作溫度: - 55 C
上升時間: 575 ns
系列: FDA59N30
工廠包裝數量: 30
典型關閉延遲時間: 120 ns
零件號別名: FDA59N30_NL
單位重量: 6.401 g
