瀚佳科技（深圳）有限公司
聯(lián)系人:李先生李小姐（只售原裝現(xiàn)貨）
電話(huà):0755-23140719/15323480719
QQ3441530696/3449124707
地址:深圳市福田區(qū)振華路中航苑鼎城大廈1607室
制造商: ROHM Semiconductor
產(chǎn)品種類(lèi): 開(kāi)關(guān)控制器
拓?fù)浣Y(jié)構(gòu): -
輸出端數(shù)量: 1 Output
開(kāi)關(guān)頻率: 100 kHz
占空比 - 最大: -
輸入電壓: 3 V to 16 V
輸出電壓: 30 V to 35 V
輸出電流: -
最小工作溫度: - 20 C
最大工作溫度: + 75 C
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOP-8
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
描述/功能: Switching regulator For Electronic Tuning
絕緣: Non-Isolated
輸出功率: -
輸出類(lèi)型: Adjustable
產(chǎn)品: Switching Controllers
系列: BA6161F
商標(biāo): ROHM Semiconductor
關(guān)閉: No Shutdown
開(kāi)發(fā)套件: -
下降時(shí)間: -
工作電源電流: -
工作電源電壓: 3 V to 16 V
上升時(shí)間: -
工廠包裝數(shù)量: 2500
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BA6161F-E2三星宣布全球首發(fā)量產(chǎn)512GB eUFS閃存
12月5日消息三星電子今天宣布，已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)業(yè)內(nèi)首款512GB嵌入式通用閃存(eUFS)，以用于下一代移動(dòng)設(shè)備。據(jù)介紹，三星512GB eUFS采用了三個(gè)三星最新的64層512千兆(Gb)V-NAND芯片和一個(gè)控制器芯片。
為了最大限度發(fā)揮512GB eUFS的性能和能源效率，三星推出了一套新的獨(dú)家技術(shù)。三星512GB eUFS控制器采用64層512Gb V-NAND先進(jìn)的電路設(shè)計(jì)和新的電源管理技術(shù)，將能源消耗降到最低。另外，512GB eUFS控制器芯片加速了將邏輯塊地址轉(zhuǎn)換為物理塊地址的映射過(guò)程。
三星512GB eUFS讀寫(xiě)性能也非常強(qiáng)大。512GB嵌入式存儲(chǔ)器的順序讀寫(xiě)速度分別達(dá)到860MB/s和255MB/s，能夠在6秒內(nèi)將5GB的全高清視頻片段傳輸?shù)絊SD，相比于普通的micro SD卡速度提高了8倍。
對(duì)于隨機(jī)操作，三星512GB eUFS可以讀取42,000 IOPS并寫(xiě)入40,000 IOPS�；趀UFS的快速隨機(jī)寫(xiě)入，比傳統(tǒng)micro SD卡的100 IOPS速度快大約400倍，移動(dòng)用戶(hù)可以享受無(wú)縫的多媒體體驗(yàn)，如高分辨率連拍，以及雙重文件搜索和視頻下載應(yīng)用程序查看模式。
另外，三星還計(jì)劃穩(wěn)步增加其64層512Gb V-NAND芯片的產(chǎn)量，并擴(kuò)大256Gb V-NAND芯片的產(chǎn)量，以滿(mǎn)足高級(jí)嵌入式移動(dòng)存儲(chǔ)以及高密度、高性能的高級(jí)固態(tài)硬盤(pán)和可移動(dòng)存儲(chǔ)卡的需求。
