晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench®
包裝
帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 2.4A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V
不同Id，Vgs 時(shí)的Rds On（最大值） 52 毫歐 @ 2.4A，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值） 20nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 1312pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 500mW（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 SuperSOT-3
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
