RA07M1317MRA07H0608M射頻功率MOSFET放大器模組, 無鉛品, 符合歐盟RoHS規(guī)範, 頻率範圍135-175MHz, 6.5W, 7.2V, 2級放大器, H46S
• MITSUBISHI 高頻模組
• 矽射頻功率半導(dǎo)體
• 7.2V運作大功率MOS FET模組
• 射頻模組
• 高頻SiRF器件
• RF Module
• 金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體模組 (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor Module, MOSFET Module)
• 三菱高頻矽器件支援無線通信網(wǎng)路
• 三菱高頻矽器件是針對頻率為數(shù)MHz到1GHz的移動無線通信設(shè)備發(fā)射段功率放大用的關(guān)鍵部件，有力地支援了無線通信網(wǎng)路，廣泛用於移動公務(wù)用無線電設(shè)備、業(yè)餘無線電設(shè)備以及車載資訊服務(wù)市場
• RA07M1317M是一個6.5W射頻(RF)MOSFET放大器高頻收發(fā)模組, 是用於7.2V其工作範圍在135-175MHz內(nèi)手提收音機. 電池可直接連接增強型MOSFET電晶體的汲極(洩極). 無閘極電壓(VGG = 0V)時, 僅小洩漏電流流進汲極(洩極), 並且射頻(RF)輸入訊息衰減到60dB. 輸出功率和汲極(洩極)電流隨著閘極電壓上升. 當閘極電壓約為2.5V(最小值), 輸出功率和汲極(洩極)電流大幅增加. 額定輸出功率可用在3V(典型值)和3.5V(最大值). 在VGG = 3.5V時, 典型閘極電流為1mA. 該模組專為用於非線性調(diào)頻(FM)模組設(shè)計, 也可通過設(shè)置靜態(tài)汲極(洩極)電流與閘極電壓, 用輸入功率控制輸出功率來用於線性模組
