[1] 增強(qiáng)型MOSFET電晶體 (IDD ≅ 0 @ VDD = 12.5V, VGG = 0V)
[2] Pout > 7W @ VDD = 12.5V, VGG = 5V, Pin = 30mW
[3] ηT > 38% @ Pout = 7W (VGG control), VDD = 12.5V, Pin = 30mW
[4] 寬頻頻率範(fàn)圍: 68-88MHz
[5] 低功率控制電流IGG = 1mA(典型值), 在VGG = 5V
[6] 模組尺寸: 30 x 10 x 5.4 mm
[7] 線性操作有可能通過設(shè)置靜態(tài)汲極(洩極)電流與閘極電壓用輸入功率控制輸出功率
[8] 無鉛類型
[9] 符合歐盟RoHS規(guī)範(fàn)
• 汲極(洩極)電壓(VDD)(最大額定值): 16V(VGG = 0V , Pin = 0W)
• 汲極(洩極)電壓(VDD)(最大額定值): 13.2V(VGG < 5V)
• 閘極電壓(VGG)(最大額定值): 6V(VDD < 12.5V, Pin < 30mW)
• 輸入功率(Pin)(最大額定值): 50mW(f = 68-88MHz , ZG = ZL = 50Ω)
• 輸出功率(Pout)(最大額定值): 10W(f = 68-88MHz , ZG = ZL = 50Ω)
• 頻率範(fàn)圍(f): 68-88MHz
• 汲極(洩極)電壓(VDD): 12.5V
• 輸入功率(Pin): 30mW
• 輸出功率(Pout)(最小值): 7W(VDD = 12.5V , VGG = 5V , Pin = 30mW)
• 總效率(ηT)(最小值): 38%(Pout = 7W (VGG control) , VDD = 12.5V , Pin = 30mW)
• 閘極電流(IGG)(典型值): 1mA(Pout = 7W (VGG control) , VDD = 12.5V , Pin = 30mW)
• 操作的情況下溫度範(fàn)圍(Tcase)(op): -30°C 到 +90°C
• 儲存溫度範(fàn)圍(Tstg): -40°C 到 +110°C
RA07H0608M是一個(gè)7W射頻(RF)MOSFET放大器高頻收發(fā)模組, 是用於12.5V其工作範(fàn)圍在68-88MHz內(nèi)手提收音機(jī). 電池可直接連接增強(qiáng)型MOSFET電晶體的汲極(洩極). 無閘極電壓(VGG = 0V)時(shí), 僅小洩漏電流流進(jìn)汲極(洩極), 並且射頻(RF)輸入訊息衰減到60dB. 輸出功率和汲極(洩極)電流隨著閘極電壓上升. 當(dāng)閘極電壓約為4V(最小值), 輸出功率和汲極(洩極)電流大幅增加. 額定輸出功率可用在4.5V(典型值)和5V(最大值). 在VGG = 5V時(shí), 典型閘極電流為1mA. 該模組專為用於非線性調(diào)頻(FM)模組設(shè)計(jì), 也可通過設(shè)置靜態(tài)汲極(洩極)電流與閘極電壓, 用輸入功率控制輸出功率來用於線性模組
