FQD13N06LTM

產(chǎn)品描述：FQD13N06LTM

FQD13N06LTM:N溝道QFET®MOSFET60V，11A，115mΩ

該N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體的專(zhuān)有平面條形和DMOS技術(shù)生產(chǎn)。這種先進(jìn)的MOSFET技術(shù)已專(zhuān)門(mén)定制用來(lái)降低導(dǎo)通電阻，并提供卓越的開(kāi)關(guān)性能和較高的雪崩能量強(qiáng)度。這些器件適用于開(kāi)關(guān)模式電源、音頻放大器、直流電機(jī)控制和可變開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用。

產(chǎn)品特性：FQD13N06LTM

11A,60V,RDS(on)=115mΩ（最大值）@VGS=10V,ID=5.5A柵極電荷低（典型值：4.8nC)

低Crss（典型值17pF)

100%經(jīng)過(guò)雪崩擊穿測(cè)試

100%avalanchetested

應(yīng)用：FQD13N06LTM

LCD電視

LED電視

其他工業(yè)

制造商 ONSemiconductor
制造商零件編號(hào) FQD13N06LTM
描述 MOSFETN-CH60V11ADPAK
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
原廠標(biāo)準(zhǔn)交貨期 5周
詳細(xì)描述 表面貼裝-N-溝道-pval-2068-11A（Tc）-2.5W（Ta）-28W（Tc）-D-Pak

一般信息

數(shù)據(jù)列表 FQD13N06L,FQU13N06L;

標(biāo)準(zhǔn)包裝FQD13N06LTMTR-ND;part_id=1053548;ref_supplier_id=488;ref_page_event=Standard Packaging" data_ue_src="/editor/editor_member_news//uploadfile/error!" /> 2,500
包裝 標(biāo)準(zhǔn)卷帶
零件狀態(tài) 在售
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族 晶體管-FET，MOSFET-單
系列 QFET®

規(guī)格

FET類(lèi)型 N溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)） 11A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn） 5V，10V
不同Id，Vgs時(shí)的RdsOn（最大值） 115毫歐@5.5A，10V
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值） 2.5V@250μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值） 6.4nC@5V
Vgs（最大值） ±20V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 350pF@25V
FET功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），28W（Tc）
工作溫度 -55°C~150°C（TJ）
安裝類(lèi)型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 D-Pak
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63