一般說明：AOD407
P溝道增強模式場效應(yīng)晶體管
AOD407采用先進的溝槽技術(shù)提供出色的RDS（ON），低柵極電荷和低電壓柵極電阻。具有優(yōu)異的耐熱性在DPAK封裝中，該器件非常適合高電流負載應(yīng)用。
-RoHS兼容
-無鹵素*
生命周期：AOD407
量產(chǎn)
歐盟RoHS
是豁免
歐盟RoHS版本
2011/65/EU
零件編號代碼
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描述
TransMOSFETP-CH60V12A3針（2+Tab）DPAKT/R.
分類
二極管，晶體管和晶閘管>FET晶體管>MOSFET
產(chǎn)品面世日期
2005-06-2200:00:00
ECCN
EAR99
供應(yīng)商籠子代碼
6USE7
HTSUSA
8541290095
組態(tài)
單
類別
功率MOSFET
頻道模式
增強
頻道類型
P
每個芯片的元素數(shù)量
1
最大漏極源電壓
60V
最大柵極源電壓
±20V
最大連續(xù)漏極電流
12A
最大漏極源電阻
115@10VmOhm
典型的柵極電荷@Vgs
15.8@10V|7.4@4.5VnC
典型的柵極電荷@10V
15.8nC
典型輸入電容@Vds
987@30VpF
最大功耗
2500MW
最低工作溫度
-55°C
最高工作溫度
175℃
包裹姓氏
TO-252
供應(yīng)商包裝
DPAK
包裝說明
DecaWatt套餐
針數(shù)
3
PCB
2
耳片
耳片
包裝長度（mm）
6.6
包裝寬度（mm）
6.1
包裝高度（mm）
2.29
針距（mm）
2.29
包裝材料
塑料
安裝
表面貼裝
封裝外形
下載PDF文檔
MSL
1
最大回流溫度（°C）
260
回流焊時間（秒）
三十
回流循環(huán)次數(shù)
3
標(biāo)準(zhǔn)
J-STD-020D
回流溫度資源
下載PDF文檔
鉛涂層（電鍍）
啞光錫
終端底座材料
銅
制造商 Alpha&OmegaSemiconductorInc.制造商零件編號 AOD407
描述 MOSFETP-CH60V12ATO252
對無鉛要求的達標(biāo)情況/對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標(biāo)情況 無鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
原廠標(biāo)準(zhǔn)交貨期 26周
詳細描述 表面貼裝-P-溝道-pval-2068-12A（Tc）-2.5W（Ta）-50W（Tc）-TO-252-（D-Pak）
一般信息 數(shù)據(jù)列表 AOD407;
TO252(DPAK)PkgDrawing;
標(biāo)準(zhǔn)包裝
包裝
零件狀態(tài) 在售
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族 晶體管-FET，MOSFET-單
系列 -
規(guī)格 FET類型 P溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時） 12A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn） 4.5V，10V
不同Id，Vgs時的RdsOn（最大值） 115毫歐@12A，10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值） 3V@250μA
不同Vgs時的柵極電荷（Qg）（最大值） 20nC@10V
Vgs（最大值） ±20V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1185pF@30V
FET功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），50W（Tc）
工作溫度 -55°C~175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 TO-252，（D-Pak）
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
