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RT9080N-08GJ5
SR2100
CXT5401
2SD1782
MMBT3906T / SOT-523
PZTA44，TO-223
MBR0520-R2
BZX84C18
MMBD7000 M5C
VS-1EFH02HM3/I
BZT52C7V5
BZX84C10 SOT23
BZT52C16
MM3Z3V6T1G SOD-323
TLC5615CDR
X9C102S
MMBZ27VCLT1 SOT23
MM3Z5V6T1G SOD-323
BAS21 SOT23
1N4148WSF-7 SOD-323
BC846BLT1 SOT23
STM32F072CBT6
STM32F101VFT6TR
STM32F030C8T6
STM32F207VGT6
STM32F405VGT6
STM32F207VGT6
STM32F101VFT6TR
STM32F072CBT6
BAT54S,215 SOT-23
FMMT591
BC846BLT1 SOT23
MMBT5401LT1G SOT-23
SMMBT4403LT1G SOT-23
SMMBT5551LT1G QS-SOT23
MMBT7002 SOT-23
DAC7311IDCKR
商品目錄 數(shù)模轉(zhuǎn)換芯片
工作電壓 2 V~5.5 V
輸出類型 Voltage-Buffered
D/A 位數(shù) 12
讀寫接口類型 SPI,DSP
D/A通道數(shù) 1
參考類型 Supply
TLC7528CDWRG4
TLC7528
位數(shù)：8
Number of D/A Converters：2
建立時間：100μs
輸出類型：Current - Unbuffered
Differential Output：無
數(shù)據(jù)接口：并聯(lián)
參考類型：外部
電壓 - 電源，模擬：5 V ~ 15 V
電壓 - 電源，數(shù)字：5 V ~ 15 V
INL/DNL (LSB)：±0.5（最大），±0.5（最大）
架構(gòu)：R-2R
工作溫度：0°C ~ 70°C
封裝/外殼：20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：20-SOIC
MCP4725A0T-E/CH
類型：DAC，數(shù)模轉(zhuǎn)換芯片
廠家：Microchip
分辨率：12bit
工作電壓：2.7V-5.5V
工作電流：400uA max.
接口：I2C
工作溫度：-40゜C ~ +125゜C
封裝：SOT23-6
差分非線性（DNL）：正負(fù)0.2 LSB
地址位：A0
內(nèi)置EEPROM，掉電可存儲CODE
中文名 轉(zhuǎn)換器芯片 外文名 converter chip 分 類 A/D轉(zhuǎn)換器芯片和D/A轉(zhuǎn)換器芯片 應(yīng)用領(lǐng)域 計算機(jī)、數(shù)據(jù)庫等 主要參數(shù) 模擬輸出、工作方式等 工作方式 單緩沖、多緩沖等
目錄
1 產(chǎn)品資料
2 產(chǎn)品功能
3 工作方式
4 工作原理
5 產(chǎn)品分類
產(chǎn)品資料編輯
DAC0832是8位D/A轉(zhuǎn)換芯片，如圖lo一5所示。其片內(nèi)具有雙輸入緩沖，電流形式輸出，所需建立時間為lMs，功耗為20mW。 [2]
產(chǎn)品功能編輯
D0～D7：輸入數(shù)據(jù)線。
ILE：允許輸入鎖存信號，ILE=1，允許鎖存。
LE1，LE2：輸入寄存器的鎖存信號，當(dāng)LE1=1時，8位輸入寄存器的輸出隨輸入變化；當(dāng)LE1=0時，數(shù)據(jù)鎖存在8位輸入寄存器。能否進(jìn)行D/A轉(zhuǎn)換，還取決于LE2。當(dāng)LE2=1時，數(shù)據(jù)送到8位DAC寄存器的輸出，當(dāng)LE2=0時，數(shù)據(jù)鎖存在8位DAC寄存器中，并開始D/A轉(zhuǎn)換。
CS：片選信號，低電平有效。
WR1：輸入寄存器寫選通信號，低電平有效。當(dāng)ILE=1且CS為低，WR1由低電平到高電平跳變時，數(shù)據(jù)被鎖存到8位輸入寄存器。
XFER數(shù)據(jù)傳送控制信號，低電平有效。
WR2： DAC寄存器寫選通信號，低電平有效。
當(dāng)XFER為低，WR2由低電平到高電平跳變時，數(shù)據(jù)被鎖存到8位DAC寄存器，啟動D/A轉(zhuǎn)換。
Iout1：DAC輸出電流1。
Iout2：DAC輸出電流2。
Rfb ：反饋信號輸入線，為外部放大器提供一個反饋電壓，Rm可由內(nèi)部提供，也可以采用外接電阻的方式。
Vrtf： 參考電壓輸人線，范圍為一10V～+10V。
Vcc： 電源線，一般為+5V～+15V。
AGND模擬地。
DGND數(shù)字地。
AGND與DGND這是兩種不同性質(zhì)的地，應(yīng)單獨連接。一般情況下，這兩種地最后只有一點接在一起，以提高抗干擾的能力。
工作方式編輯
DAC0832片內(nèi)具有雙輸入緩沖，它有三種工作方式。
①單緩沖。此方式用于一路或多路模擬量非同步輸出的情況。實現(xiàn)時使兩個寄存器中的一個直通，另一個受控。
②雙緩沖。此方式用于多路模擬量同步輸出的情況，實現(xiàn)時使兩個寄存器都受控，先分別使多路DAC0832的8位輸入寄存器接收數(shù)據(jù)，再控制多路DAC0832同時將數(shù)據(jù)傳送到DAC寄存器，以實現(xiàn)多路模擬量的同步輸出。
③直通。此方式適用于連續(xù)反饋控制線路中，使ILE、CS、WR1、WR2、XFER都有效。
模擬輸出
①單極性輸出。DAC0832是電流型輸出，如要求電壓輸出，只要外接一個運(yùn)算放大器即可，如圖所示。
圖中Iout2接地，Iout1接放大器的反相輸入端，故輸出電壓U與參考電壓Vrcf一反相。當(dāng)Vrcf接一5V時，輸出電壓范圍是o～+5V。
②雙極性輸出。在單極性電路的基礎(chǔ)上，加上一級放大器．就構(gòu)成雙極性電壓輸出，如右圖。
工作原理編輯
DAC1210是12位D/A轉(zhuǎn)換芯片，片內(nèi)具有雙輸入緩沖，電流輸出，引腳/內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖所示。與DAC0832不同，除了數(shù)據(jù)線多了4位外，多了一個高低位選擇信號B1/B2，該信號為高電平時選擇8位輸入寄存器，低位寄存器不受B1/B2控制。因此在寫入12位數(shù)據(jù)時，應(yīng)使用雙緩沖方式，即第一次寫入高8位數(shù)據(jù)，第二次寫入低四位數(shù)據(jù)。
轉(zhuǎn)換時間指A/D轉(zhuǎn)換器完成一次轉(zhuǎn)換所需的時間。
產(chǎn)品分類編輯
ADC0809的結(jié)構(gòu)和主要指標(biāo)
ADC0809是8位逐次逼近式A/D轉(zhuǎn)換器，如圖所示，有一個8位的逐次
逼近式A/D轉(zhuǎn)換器、8路模擬開關(guān)、地址鎖存與譯碼邏輯等。芯片內(nèi)有8路模擬開關(guān)，可選擇8個模擬量輸入。
主要指標(biāo)
分辨率——8位。
轉(zhuǎn)換時間——100υs。
時鐘頻率——典型值640kHz(10kHz～1280kHz)。
總不可調(diào)誤差——±1 LSB。
模擬量輸入范圍——0～+5V。
工作溫度——一40～+85℃。
具有鎖存控制的8路模擬開關(guān)。
輸出具有三態(tài)緩沖器，易與微機(jī)相連。
輸出具有三態(tài)緩沖器，易與微機(jī)相連。
引腳
ADC0809的引腳如圖10一18所示。
IN7～I(xiàn)N0：8路模擬輸入信號。
ADDA、ADDB、ADDC：地址選擇。
ALE：地址鎖存信號，正跳變地址鎖存。
START：啟動轉(zhuǎn)換信號，該信號的上升沿清除內(nèi)部寄存器，下降沿啟動A/D開始轉(zhuǎn)換。
EOC：轉(zhuǎn)換結(jié)束信號，轉(zhuǎn)換結(jié)束輸出一個寬為8個CLK周期的正脈沖。
OE：輸出允許信號，高電平轉(zhuǎn)換結(jié)果送數(shù)據(jù)線。
VREF+、VREF-：基準(zhǔn)電壓。
D0～D7：8位三態(tài)數(shù)據(jù)輸出線。
CLK：轉(zhuǎn)換時鐘。一般640kHz。
Vcc：電源+5V。
工作時序
ADC0809的工作時序如圖所示。由START信號的一個正脈沖啟動A/D轉(zhuǎn)換，上升沿后的2υs加8個時鐘周期后，EOC信號將變低，指示轉(zhuǎn)換正在進(jìn)行中，轉(zhuǎn)換結(jié)束后EOC變?yōu)楦唠娖健?br />
AD574A的結(jié)構(gòu)和主要指標(biāo)
AD574A是12位逐次逼近式A/D轉(zhuǎn)換器，如圖所示，它包括
一個12位的D/A轉(zhuǎn)換器、基準(zhǔn)電源、逐次逼近寄存器、轉(zhuǎn)換控制電路、時鐘、總線接口和高性能比較器。
主要指標(biāo)如下
分辨率——12位。
轉(zhuǎn)換時間——25υs。
非線性誤差——AD574AJ為±1LSB，AD574AK為±1/2LSB。
模擬量輸入范圍——0～+10V，0～+20V，±5V，±10V。
功耗——典型值為390mW。
基準(zhǔn)電源——內(nèi)部有高精度參考電壓，只需外接一個合適的電阻。
接口——內(nèi)有輸出三態(tài)緩沖器，可直接與8位或16位微處理器接口。
引腳
AD574A的引腳
DB11~DB0：12位數(shù)字量輸出。
10Vin：模擬量10V量程輸入。
20Vin：模擬量20V量程輸入。
BIP：雙極性偏置，當(dāng)接地時，選擇單極性接法；如果使用雙極性接法，則應(yīng)將其接到一個電位器的一端，電位器的另一端接Rout。
CS：片選信號，低電平有效。
CE：芯片允許信號，高電平有效。
A0：選擇轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)長度，在啟動時，A0=0，表示進(jìn)行12位轉(zhuǎn)換；A0=1，表示進(jìn)行8位轉(zhuǎn)換。在讀數(shù)據(jù)時，A0=0表示讀高8位；A0=1表示讀低4位。
R/C：讀/啟動轉(zhuǎn)換信號，低電平時表示啟動轉(zhuǎn)換；高電平時表示輸出數(shù)據(jù)。
12/8：選擇數(shù)據(jù)輸出格式，當(dāng)12/8=1時，表示讀取12位數(shù)據(jù)，當(dāng)12/8=0時，表示按高8位加低4位的方式，分兩次讀取數(shù)據(jù)。
STS：輸出狀態(tài)信號，轉(zhuǎn)換開始時變?yōu)楦唠娖剑D(zhuǎn)換期間保持高電平．轉(zhuǎn)換結(jié)束變?yōu)榈碗娖健?br /> Rin和Rout：參考電壓輸入和輸出端。一般在二者之間接一個100Ω的電阻或電位器。
RGA220M1HBK-0511
WIW1028 3386P型
3296W/X/Y/P/Z
WIW1012(3006P)
WIW3269W/X/P多圈玻璃釉電位器
WIW1036(3323/P/U/R）
WIW1028(3386P/W/X/C)
WIW1028(3386長軸F/Y/R/
WJ14螺桿非線繞預(yù)調(diào)玻璃釉電位器
WIW3329H/P/X/S
WIW1015(3266W/X/P/Y
WIW3082P型預(yù)調(diào)玻璃釉電位器
WIW3362P/X/U/R/S型
WIW3009(93PR型）玻璃釉電位
RGA101M1CBK-0511
EDG110S
EDG110SRA
ESP1010臺灣百容 ECE
藍(lán)色EDS107SZ
EPS108AZ
EPS108SZ
V12P10-M3/86A
FH34S-8S-0.5SH(50)
HEF4046
HEF4049
HEF4053
AO2301
AO3401
AO3415
UC3842
UC3843
TD2822
AM2359P-T1-PF
NT1742-B4B5 DFN-8L
LD1117S33
LD1117SADJ
LM1117-1.8
LM1117-2.5
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LM1117-ADJ
NCV1117ST33T3G
NCV1117STAT3G
NCV1117ST50T3G
NCV1117ST18T3G
NCV1117STADJ
FDMC6683
8205
DW07
LP4060
AT24C02
AT24C08
AT24C32
78M06
78M08
78M10
78M12
AXT524124
RU7080R TO-220
STM8L151K6T6
AXT624124
T5551-N7 SOT-23
SFH-1412A
AMS1117-3.3
LD1117S18TR
LD1117S25
7806
7809
LM324
LM339
AS339
UC3842
UC3843
74HC00
74HC04
74HC08
74HC14
74HC164
74HC4052
74HC4053
CD4046
CD4049
CD4050
CD4052
CD4069
CD4093
CD4045
CD4011
STM32F427IIH6
STM32F100VBT6B
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STR751FR2T6
STM32F429IET6.
STM32F427IIT6
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NUC505DL13Y
CS51414EDR8G
W55FL95DDN
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HIP4082IBZT
ICL7660CBAZ-T
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X9C103PIZ
X9C104PIZ
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EAD102EZ
BQ24103ARHLR
DS90C385AMTX
BCT4222C
TS-1100
CM3652C3WZ
MP1542DK-LF-Z
MC-146
ACT8937QJ11C-T
MW269V3：1000
LPW5202B5F
ALM-1412-TR1G
BRCM4319
MT6616RN/B
MMC3140MS
TXB0104ZXUR
EMB20P03V
RB521S-30FJTE61
XR2204
BCM4751IUBG
SGM3140YD10G/TR
AW6332QNR
VC7810E
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PCMEE031B-R47MS
LM2596R-ADJ
"LMSP33CB-465
"
LM2596S-ADJ
MS90C385
TY8A0A111151KC
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88PG8211A2-NXS2C000-T
88PM8606-NNY2
MT6161AN/C
MT6253ASN/B
U.FL-R-SMT-1(10)
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B-XH0414HOARII02E
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PM7540-000
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SAA65881
TV00570002CDGB
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VWLAN7102EB
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SKY77524-15
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SPM0204HE5-PB-6
SN3726JIR1
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AXK7L10227G
AXK6803K7YG
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FH19C-6S-0.5SH(05)
AXT530124
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AXK724147G
AXK5F20547YG
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10428-6012
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AXK6F20347YG
20374-040E-31
245602024000829+
145602024000829+
KF2504A150R
AXK6F20347YG
AXK5F20547YG
AXK6F60347YG
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RF7161TR13-3K
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MT6513TMV/B
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KXTE9-1050
SGM4914CYTQ
MT29C1G56MAUZJC-75
SC2712A
RTR6285A-0-137CSP-TR-01-0
RDA5802E
OVM7692-RYAA
SR3500
TPS80032A2F7YFFR
AW6302QNR
SKY77709
MT6236A/C
SKY77518-21
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RDA6231
MT6517A/C
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W.FL-R-SMT-1(80)
AR7643-LF
MT6235BA/H
KXTJ2-1009
25LQ128YIG
RPF88162B
MSM-8225-0-576NSP
M36W0R6050U4ZS
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QSD3TW-8220-TR
SKY77547-11
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SKY77344-11
NTTFS3A08PZTWG
D2037
CUC5810
BCM4330FKUBG
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TQM7M5012
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B39901-B9431-M410-S05
B7921
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2.54MM貼片撥碼開關(guān)ESD系列
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ESP1010
導(dǎo)讀:宏旺半導(dǎo)體ICMAX宣布大規(guī)模生產(chǎn)單顆8GB LPDDR4X，這是業(yè)內(nèi)首家量產(chǎn)。LPDDR4X 8GB量產(chǎn)表明ICMAX產(chǎn)品線日漸豐富完善，現(xiàn)提供全面先進(jìn)的嵌入式存儲產(chǎn)品，為搭載8GB移動dram和512GB存儲的智能手機(jī)新時代提供更高性能，相信LPDDR4X 8GB上市后將對現(xiàn)有的手機(jī)市場造成強(qiáng)有力沖擊。新的存儲方案具有比多數(shù)手機(jī)運(yùn)行更高的存儲容量，使用戶能夠充分體驗大存儲時代的便利，不用再擔(dān)心手機(jī)系統(tǒng)提醒“存儲空間不足”。
如今，中國正在各個半導(dǎo)體領(lǐng)域切入自己的力量，破除國外壟斷，包括CPU微處理器、NAND閃存、OLED屏幕面板等等，DRAM內(nèi)存也是時候了。
中國芯片設(shè)計公司兆易創(chuàng)新近日發(fā)布公告，宣布與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股（集團(tuán)）有限公司（簡稱合肥產(chǎn)投）于10月26日簽署了《關(guān)于存儲器研發(fā)項目之合作協(xié)議》。
雙方約定，將在安徽省合肥市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)合作開展300mm晶圓（12英寸）、19nm工藝存儲器的研發(fā)項目，包括DRAM內(nèi)存顆粒。
智能手機(jī)中，除了芯片是更新?lián)Q代的大件，手機(jī)內(nèi)存也是在每一年都會迎來新變化ICMAX即將推出的LPDDR4X 8GB想必大家都不會陌生，LPDDR（Low Power Double Data Rate），通俗說的就是低功耗移動內(nèi)存，廣泛運(yùn)用于手機(jī)、平板、智能后視鏡、vr、廣告播放機(jī)、POS機(jī)等移動電子產(chǎn)品中。手機(jī)端它就是手機(jī)運(yùn)行內(nèi)存（Ram），PC端的內(nèi)存通常我們簡稱為DDR，因此二者其實原理一樣，但尺寸形態(tài)不同。
LPDDR4X并非是LPDDR4的下一代版本內(nèi)存，可以看作是LPDDR4的省電優(yōu)化版本。ICMAX LPDDR4X 8GB移動存儲器可提供每秒34.1GB的數(shù)據(jù)傳輸速率，同時最大限度地降低DRAM容量增加所帶來的功耗增加。相較于LPDDR4，ICMAX LPDDR4X在功耗降低了10-20%，手機(jī)運(yùn)行發(fā)熱度降低，提高了手機(jī)的續(xù)航能力，待機(jī)時間更長，極大提高了手機(jī)使用體驗。要知道手機(jī)功耗要降低1%，在性能優(yōu)化上要投數(shù)倍的努力，就是靠著對極致的追求，ICMAX才能在技術(shù)要求十分苛刻的存儲芯片領(lǐng)域深耕十五年，不斷前進(jìn)推出新產(chǎn)品，走在行業(yè)前列。
與LPDDR4相比，LPDDR4X內(nèi)存頻率達(dá)到了2133MHz，且宏旺半導(dǎo)體ICMAX LPDDR4X在單顆容量達(dá)到了8GB，業(yè)界這樣規(guī)格的產(chǎn)品還不多見，更難得的是宏旺半導(dǎo)體實現(xiàn)了量產(chǎn)。我們都知道LPDDR頻率越高，內(nèi)存的運(yùn)行速度更快，ICMAX LPDDR4X內(nèi)存頻率達(dá)到2133MHz，并且在大容量加持下，存儲速度上更具有優(yōu)勢，在運(yùn)行超大游戲，或是錄制4K視頻的時候作用非常明顯，功耗更低，運(yùn)行更快也更省電。
不過需要注意的是，不是所有的手機(jī)都能用LPDDR4X內(nèi)存，它對手機(jī)處理器有一定要求，因此也只有一些中高端機(jī)搭載。對于智能手機(jī)用戶而言，8GB DRAM可以在超大型高分辨率屏幕上瀏覽應(yīng)用程序，從而實現(xiàn)更流暢的多任務(wù)處理和更快速的搜索。宏旺半導(dǎo)體ICMAX不止在LPDDR4X上走在行業(yè)前列，LPDDR5也在量產(chǎn)規(guī)劃中，
