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RT9080N-08GJ5
SR2100
CXT5401
2SD1782
MMBT3906T / SOT-523
PZTA44，TO-223
MBR0520-R2
BZX84C18
MMBD7000 M5C
VS-1EFH02HM3/I
BZT52C7V5
BZX84C10 SOT23
BZT52C16
MM3Z3V6T1G SOD-323
TLC5615CDR
X9C102S
MMBZ27VCLT1 SOT23
MM3Z5V6T1G SOD-323
BAS21 SOT23
1N4148WSF-7 SOD-323
BC846BLT1 SOT23
STM32F072CBT6
STM32F101VFT6TR
STM32F030C8T6
STM32F207VGT6
STM32F405VGT6
STM32F207VGT6
STM32F101VFT6TR
STM32F072CBT6
BAT54S,215 SOT-23
FMMT591
BC846BLT1 SOT23
MMBT5401LT1G SOT-23
SMMBT4403LT1G SOT-23
SMMBT5551LT1G QS-SOT23
MMBT7002 SOT-23
DAC7311IDCKR
商品目錄 數(shù)模轉(zhuǎn)換芯片
工作電壓 2 V~5.5 V
輸出類(lèi)型 Voltage-Buffered
D/A 位數(shù) 12
讀寫(xiě)接口類(lèi)型 SPI,DSP
D/A通道數(shù) 1
參考類(lèi)型 Supply
TLC7528CDWRG4
TLC7528
位數(shù)：8
Number of D/A Converters：2
建立時(shí)間：100μs
輸出類(lèi)型：Current - Unbuffered
Differential Output：無(wú)
數(shù)據(jù)接口：并聯(lián)
參考類(lèi)型：外部
電壓 - 電源，模擬：5 V ~ 15 V
電壓 - 電源，數(shù)字：5 V ~ 15 V
INL/DNL (LSB)：±0.5（最大），±0.5（最大）
架構(gòu)：R-2R
工作溫度：0°C ~ 70°C
封裝/外殼：20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：20-SOIC
MCP4725A0T-E/CH
類(lèi)型：DAC，數(shù)模轉(zhuǎn)換芯片
廠家：Microchip
分辨率：12bit
工作電壓：2.7V-5.5V
工作電流：400uA max.
接口：I2C
工作溫度：-40゜C ~ +125゜C
封裝：SOT23-6
差分非線性（DNL）：正負(fù)0.2 LSB
地址位：A0
內(nèi)置EEPROM，掉電可存儲(chǔ)CODE
中文名 轉(zhuǎn)換器芯片 外文名 converter chip 分 類(lèi) A/D轉(zhuǎn)換器芯片和D/A轉(zhuǎn)換器芯片 應(yīng)用領(lǐng)域 計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)庫(kù)等 主要參數(shù) 模擬輸出、工作方式等 工作方式 單緩沖、多緩沖等
目錄
1 產(chǎn)品資料
2 產(chǎn)品功能
3 工作方式
4 工作原理
5 產(chǎn)品分類(lèi)
產(chǎn)品資料編輯
DAC0832是8位D/A轉(zhuǎn)換芯片，如圖lo一5所示。其片內(nèi)具有雙輸入緩沖，電流形式輸出，所需建立時(shí)間為lMs，功耗為20mW。 [2]
產(chǎn)品功能編輯
D0～D7：輸入數(shù)據(jù)線。
ILE：允許輸入鎖存信號(hào)，ILE=1，允許鎖存。
LE1，LE2：輸入寄存器的鎖存信號(hào)，當(dāng)LE1=1時(shí)，8位輸入寄存器的輸出隨輸入變化；當(dāng)LE1=0時(shí)，數(shù)據(jù)鎖存在8位輸入寄存器。能否進(jìn)行D/A轉(zhuǎn)換，還取決于LE2。當(dāng)LE2=1時(shí)，數(shù)據(jù)送到8位DAC寄存器的輸出，當(dāng)LE2=0時(shí)，數(shù)據(jù)鎖存在8位DAC寄存器中，并開(kāi)始D/A轉(zhuǎn)換。
CS：片選信號(hào)，低電平有效。
WR1：輸入寄存器寫(xiě)選通信號(hào)，低電平有效。當(dāng)ILE=1且CS為低，WR1由低電平到高電平跳變時(shí)，數(shù)據(jù)被鎖存到8位輸入寄存器。
XFER數(shù)據(jù)傳送控制信號(hào)，低電平有效。
WR2： DAC寄存器寫(xiě)選通信號(hào)，低電平有效。
當(dāng)XFER為低，WR2由低電平到高電平跳變時(shí)，數(shù)據(jù)被鎖存到8位DAC寄存器，啟動(dòng)D/A轉(zhuǎn)換。
Iout1：DAC輸出電流1。
Iout2：DAC輸出電流2。
Rfb ：反饋信號(hào)輸入線，為外部放大器提供一個(gè)反饋電壓，Rm可由內(nèi)部提供，也可以采用外接電阻的方式。
Vrtf： 參考電壓輸人線，范圍為一10V～+10V。
Vcc： 電源線，一般為+5V～+15V。
AGND模擬地。
DGND數(shù)字地。
AGND與DGND這是兩種不同性質(zhì)的地，應(yīng)單獨(dú)連接。一般情況下，這兩種地最后只有一點(diǎn)接在一起，以提高抗干擾的能力。
工作方式編輯
DAC0832片內(nèi)具有雙輸入緩沖，它有三種工作方式。
①單緩沖。此方式用于一路或多路模擬量非同步輸出的情況。實(shí)現(xiàn)時(shí)使兩個(gè)寄存器中的一個(gè)直通，另一個(gè)受控。
②雙緩沖。此方式用于多路模擬量同步輸出的情況，實(shí)現(xiàn)時(shí)使兩個(gè)寄存器都受控，先分別使多路DAC0832的8位輸入寄存器接收數(shù)據(jù)，再控制多路DAC0832同時(shí)將數(shù)據(jù)傳送到DAC寄存器，以實(shí)現(xiàn)多路模擬量的同步輸出。
③直通。此方式適用于連續(xù)反饋控制線路中，使ILE、CS、WR1、WR2、XFER都有效。
模擬輸出
①單極性輸出。DAC0832是電流型輸出，如要求電壓輸出，只要外接一個(gè)運(yùn)算放大器即可，如圖所示。
圖中Iout2接地，Iout1接放大器的反相輸入端，故輸出電壓U與參考電壓Vrcf一反相。當(dāng)Vrcf接一5V時(shí)，輸出電壓范圍是o～+5V。
②雙極性輸出。在單極性電路的基礎(chǔ)上，加上一級(jí)放大器．就構(gòu)成雙極性電壓輸出，如右圖。
工作原理編輯
DAC1210是12位D/A轉(zhuǎn)換芯片，片內(nèi)具有雙輸入緩沖，電流輸出，引腳/內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖所示。與DAC0832不同，除了數(shù)據(jù)線多了4位外，多了一個(gè)高低位選擇信號(hào)B1/B2，該信號(hào)為高電平時(shí)選擇8位輸入寄存器，低位寄存器不受B1/B2控制。因此在寫(xiě)入12位數(shù)據(jù)時(shí)，應(yīng)使用雙緩沖方式，即第一次寫(xiě)入高8位數(shù)據(jù)，第二次寫(xiě)入低四位數(shù)據(jù)。
轉(zhuǎn)換時(shí)間指A/D轉(zhuǎn)換器完成一次轉(zhuǎn)換所需的時(shí)間。
產(chǎn)品分類(lèi)編輯
ADC0809的結(jié)構(gòu)和主要指標(biāo)
ADC0809是8位逐次逼近式A/D轉(zhuǎn)換器，如圖所示，有一個(gè)8位的逐次
逼近式A/D轉(zhuǎn)換器、8路模擬開(kāi)關(guān)、地址鎖存與譯碼邏輯等。芯片內(nèi)有8路模擬開(kāi)關(guān)，可選擇8個(gè)模擬量輸入。
主要指標(biāo)
分辨率——8位。
轉(zhuǎn)換時(shí)間——100υs。
時(shí)鐘頻率——典型值640kHz(10kHz～1280kHz)。
總不可調(diào)誤差——±1 LSB。
模擬量輸入范圍——0～+5V。
工作溫度——一40～+85℃。
具有鎖存控制的8路模擬開(kāi)關(guān)。
輸出具有三態(tài)緩沖器，易與微機(jī)相連。
輸出具有三態(tài)緩沖器，易與微機(jī)相連。
引腳
ADC0809的引腳如圖10一18所示。
IN7～I(xiàn)N0：8路模擬輸入信號(hào)。
ADDA、ADDB、ADDC：地址選擇。
ALE：地址鎖存信號(hào)，正跳變地址鎖存。
START：?jiǎn)?dòng)轉(zhuǎn)換信號(hào)，該信號(hào)的上升沿清除內(nèi)部寄存器，下降沿啟動(dòng)A/D開(kāi)始轉(zhuǎn)換。
EOC：轉(zhuǎn)換結(jié)束信號(hào)，轉(zhuǎn)換結(jié)束輸出一個(gè)寬為8個(gè)CLK周期的正脈沖。
OE：輸出允許信號(hào)，高電平轉(zhuǎn)換結(jié)果送數(shù)據(jù)線。
VREF+、VREF-：基準(zhǔn)電壓。
D0～D7：8位三態(tài)數(shù)據(jù)輸出線。
CLK：轉(zhuǎn)換時(shí)鐘。一般640kHz。
Vcc：電源+5V。
工作時(shí)序
ADC0809的工作時(shí)序如圖所示。由START信號(hào)的一個(gè)正脈沖啟動(dòng)A/D轉(zhuǎn)換，上升沿后的2υs加8個(gè)時(shí)鐘周期后，EOC信號(hào)將變低，指示轉(zhuǎn)換正在進(jìn)行中，轉(zhuǎn)換結(jié)束后EOC變?yōu)楦唠娖健?br />
AD574A的結(jié)構(gòu)和主要指標(biāo)
AD574A是12位逐次逼近式A/D轉(zhuǎn)換器，如圖所示，它包括
一個(gè)12位的D/A轉(zhuǎn)換器、基準(zhǔn)電源、逐次逼近寄存器、轉(zhuǎn)換控制電路、時(shí)鐘、總線接口和高性能比較器。
主要指標(biāo)如下
分辨率——12位。
轉(zhuǎn)換時(shí)間——25υs。
非線性誤差——AD574AJ為±1LSB，AD574AK為±1/2LSB。
模擬量輸入范圍——0～+10V，0～+20V，±5V，±10V。
功耗——典型值為390mW。
基準(zhǔn)電源——內(nèi)部有高精度參考電壓，只需外接一個(gè)合適的電阻。
接口——內(nèi)有輸出三態(tài)緩沖器，可直接與8位或16位微處理器接口。
引腳
AD574A的引腳
DB11~DB0：12位數(shù)字量輸出。
10Vin：模擬量10V量程輸入。
20Vin：模擬量20V量程輸入。
BIP：雙極性偏置，當(dāng)接地時(shí)，選擇單極性接法；如果使用雙極性接法，則應(yīng)將其接到一個(gè)電位器的一端，電位器的另一端接Rout。
CS：片選信號(hào)，低電平有效。
CE：芯片允許信號(hào)，高電平有效。
A0：選擇轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)長(zhǎng)度，在啟動(dòng)時(shí)，A0=0，表示進(jìn)行12位轉(zhuǎn)換；A0=1，表示進(jìn)行8位轉(zhuǎn)換。在讀數(shù)據(jù)時(shí)，A0=0表示讀高8位；A0=1表示讀低4位。
R/C：讀/啟動(dòng)轉(zhuǎn)換信號(hào)，低電平時(shí)表示啟動(dòng)轉(zhuǎn)換；高電平時(shí)表示輸出數(shù)據(jù)。
12/8：選擇數(shù)據(jù)輸出格式，當(dāng)12/8=1時(shí)，表示讀取12位數(shù)據(jù)，當(dāng)12/8=0時(shí)，表示按高8位加低4位的方式，分兩次讀取數(shù)據(jù)。
STS：輸出狀態(tài)信號(hào)，轉(zhuǎn)換開(kāi)始時(shí)變?yōu)楦唠娖�，轉(zhuǎn)換期間保持高電平．轉(zhuǎn)換結(jié)束變?yōu)榈碗娖健?br /> Rin和Rout：參考電壓輸入和輸出端。一般在二者之間接一個(gè)100Ω的電阻或電位器。
RGA220M1HBK-0511
WIW1028 3386P型
3296W/X/Y/P/Z
WIW1012(3006P)
WIW3269W/X/P多圈玻璃釉電位器
WIW1036(3323/P/U/R）
WIW1028(3386P/W/X/C)
WIW1028(3386長(zhǎng)軸F/Y/R/
WJ14螺桿非線繞預(yù)調(diào)玻璃釉電位器
WIW3329H/P/X/S
WIW1015(3266W/X/P/Y
WIW3082P型預(yù)調(diào)玻璃釉電位器
WIW3362P/X/U/R/S型
WIW3009(93PR型）玻璃釉電位
RGA101M1CBK-0511
EDG110S
EDG110SRA
ESP1010臺(tái)灣百容 ECE
藍(lán)色EDS107SZ
EPS108AZ
EPS108SZ
V12P10-M3/86A
FH34S-8S-0.5SH(50)
HEF4046
HEF4049
HEF4053
AO2301
AO3401
AO3415
UC3842
UC3843
TD2822
AM2359P-T1-PF
NT1742-B4B5 DFN-8L
LD1117S33
LD1117SADJ
LM1117-1.8
LM1117-2.5
LM1117--3.3
LM1117-ADJ
NCV1117ST33T3G
NCV1117STAT3G
NCV1117ST50T3G
NCV1117ST18T3G
NCV1117STADJ
FDMC6683
8205
DW07
LP4060
AT24C02
AT24C08
AT24C32
78M06
78M08
78M10
78M12
AXT524124
RU7080R TO-220
STM8L151K6T6
AXT624124
T5551-N7 SOT-23
SFH-1412A
AMS1117-3.3
LD1117S18TR
LD1117S25
7806
7809
LM324
LM339
AS339
UC3842
UC3843
74HC00
74HC04
74HC08
74HC14
74HC164
74HC4052
74HC4053
CD4046
CD4049
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CD4093
CD4045
CD4011
STM32F427IIH6
STM32F100VBT6B
STM32F205VCT6
STR751FR2T6
STM32F429IET6.
STM32F427IIT6
N32916U1DN
NUC123SD4ANO
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NUC505DL13Y
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BCT4222C
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MP1542DK-LF-Z
MC-146
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ALM-1412-TR1G
BRCM4319
MT6616RN/B
MMC3140MS
TXB0104ZXUR
EMB20P03V
RB521S-30FJTE61
XR2204
BCM4751IUBG
SGM3140YD10G/TR
AW6332QNR
VC7810E
AP33-Z-A3
RM3110018Y0000
H5MS2562NFR-E3M
K5N5666ATD-BQ12
PCMEE031B-R47MS
LM2596R-ADJ
"LMSP33CB-465
"
LM2596S-ADJ
MS90C385
TY8A0A111151KC
88PM8607-BIX2
88PG8211A2-NXS2C000-T
88PM8606-NNY2
MT6161AN/C
MT6253ASN/B
U.FL-R-SMT-1(10)
SM5S24AHE3/2D
B-XH0414HOARII02E
MT5921A/A
PM7540-000
71PL127NBOHFW413
AW-GH320
EN71GL032A0-70CWP
SAA65881
TV00570002CDGB
PF38F3050M0Y0CE
DSPGS500D
VWLAN7102EB
ADXL345BCCZ-RL7
SKY77608-14
SKY77524-15
SKY77702-12
SKY77549-11
SKY77611-E2
SKY77350-13
SKY77721-15
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SKY77444-20
SKY77710-14
SKY77725-14
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SKY77524-15
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SPM0204HE5-PB-6
SN3726JIR1
EM-SDS1801E01-B
DS1801
AET325352
AXK7L10227G
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FH19C-6S-0.5SH(05)
AXT530124
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145602024000829H+
AXK724147G
AXK5F20547YG
245602024050829+
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SGM4914CYTQ
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AR7643-LF
MT6235BA/H
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SKY77547-11
SKY77551-81
SKY77344-11
NTTFS3A08PZTWG
D2037
CUC5810
BCM4330FKUBG
SKY13404-466LF
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ECE平撥金腳撥碼開(kāi)關(guān)EDG系列
ECE側(cè)撥琴鍵式金腳開(kāi)關(guān)EPG系列
ECE側(cè)撥琴鍵式銀腳開(kāi)關(guān)EPS系列
平撥90度彎腳EDGXXXSRA系列
ECE三態(tài)撥碼開(kāi)關(guān)系列
ECE窄體IC型撥碼開(kāi)關(guān)EAH系列
ECE窄體IC型撥碼開(kāi)關(guān)EAM系列
2.54MM貼片撥碼開(kāi)關(guān)EAD系列
2.54MM貼片撥碼開(kāi)關(guān)ESD系列
1.27MM貼片撥碼開(kāi)關(guān)EHS系列
滑動(dòng)開(kāi)關(guān)ESP系列
ESP1010
導(dǎo)讀:宏旺半導(dǎo)體ICMAX宣布大規(guī)模生產(chǎn)單顆8GB LPDDR4X，這是業(yè)內(nèi)首家量產(chǎn)。LPDDR4X 8GB量產(chǎn)表明ICMAX產(chǎn)品線日漸豐富完善，現(xiàn)提供全面先進(jìn)的嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品，為搭載8GB移動(dòng)dram和512GB存儲(chǔ)的智能手機(jī)新時(shí)代提供更高性能，相信LPDDR4X 8GB上市后將對(duì)現(xiàn)有的手機(jī)市場(chǎng)造成強(qiáng)有力沖擊。新的存儲(chǔ)方案具有比多數(shù)手機(jī)運(yùn)行更高的存儲(chǔ)容量，使用戶(hù)能夠充分體驗(yàn)大存儲(chǔ)時(shí)代的便利，不用再擔(dān)心手機(jī)系統(tǒng)提醒“存儲(chǔ)空間不足”。
如今，中國(guó)正在各個(gè)半導(dǎo)體領(lǐng)域切入自己的力量，破除國(guó)外壟斷，包括CPU微處理器、NAND閃存、OLED屏幕面板等等，DRAM內(nèi)存也是時(shí)候了。
中國(guó)芯片設(shè)計(jì)公司兆易創(chuàng)新近日發(fā)布公告，宣布與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股（集團(tuán)）有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)合肥產(chǎn)投）于10月26日簽署了《關(guān)于存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目之合作協(xié)議》。
雙方約定，將在安徽省合肥市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)合作開(kāi)展300mm晶圓（12英寸）、19nm工藝存儲(chǔ)器的研發(fā)項(xiàng)目，包括DRAM內(nèi)存顆粒。
智能手機(jī)中，除了芯片是更新?lián)Q代的大件，手機(jī)內(nèi)存也是在每一年都會(huì)迎來(lái)新變化ICMAX即將推出的LPDDR4X 8GB想必大家都不會(huì)陌生，LPDDR（Low Power Double Data Rate），通俗說(shuō)的就是低功耗移動(dòng)內(nèi)存，廣泛運(yùn)用于手機(jī)、平板、智能后視鏡、vr、廣告播放機(jī)、POS機(jī)等移動(dòng)電子產(chǎn)品中。手機(jī)端它就是手機(jī)運(yùn)行內(nèi)存（Ram），PC端的內(nèi)存通常我們簡(jiǎn)稱(chēng)為DDR，因此二者其實(shí)原理一樣，但尺寸形態(tài)不同。
LPDDR4X并非是LPDDR4的下一代版本內(nèi)存，可以看作是LPDDR4的省電優(yōu)化版本。ICMAX LPDDR4X 8GB移動(dòng)存儲(chǔ)器可提供每秒34.1GB的數(shù)據(jù)傳輸速率，同時(shí)最大限度地降低DRAM容量增加所帶來(lái)的功耗增加。相較于LPDDR4，ICMAX LPDDR4X在功耗降低了10-20%，手機(jī)運(yùn)行發(fā)熱度降低，提高了手機(jī)的續(xù)航能力，待機(jī)時(shí)間更長(zhǎng)，極大提高了手機(jī)使用體驗(yàn)。要知道手機(jī)功耗要降低1%，在性能優(yōu)化上要投數(shù)倍的努力，就是靠著對(duì)極致的追求，ICMAX才能在技術(shù)要求十分苛刻的存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域深耕十五年，不斷前進(jìn)推出新產(chǎn)品，走在行業(yè)前列。
與LPDDR4相比，LPDDR4X內(nèi)存頻率達(dá)到了2133MHz，且宏旺半導(dǎo)體ICMAX LPDDR4X在單顆容量達(dá)到了8GB，業(yè)界這樣規(guī)格的產(chǎn)品還不多見(jiàn)，更難得的是宏旺半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。我們都知道LPDDR頻率越高，內(nèi)存的運(yùn)行速度更快，ICMAX LPDDR4X內(nèi)存頻率達(dá)到2133MHz，并且在大容量加持下，存儲(chǔ)速度上更具有優(yōu)勢(shì)，在運(yùn)行超大游戲，或是錄制4K視頻的時(shí)候作用非常明顯，功耗更低，運(yùn)行更快也更省電。
不過(guò)需要注意的是，不是所有的手機(jī)都能用LPDDR4X內(nèi)存，它對(duì)手機(jī)處理器有一定要求，因此也只有一些中高端機(jī)搭載。對(duì)于智能手機(jī)用戶(hù)而言，8GB DRAM可以在超大型高分辨率屏幕上瀏覽應(yīng)用程序，從而實(shí)現(xiàn)更流暢的多任務(wù)處理和更快速的搜索。宏旺半導(dǎo)體ICMAX不止在LPDDR4X上走在行業(yè)前列，LPDDR5也在量產(chǎn)規(guī)劃中，
