類型 隔離模塊
輸出數(shù) 2
電壓 - 輸入（最小值） 9V
電壓 - 輸入（最大值） 36V
電壓 - 輸出 1 15V
電壓 - 輸出 2 -15V
電壓 - 輸出 3 -
電壓 - 輸出 4 -
電流 - 輸出（最大值） 500mA，500mA
功率 (W) 15W
電壓 - 隔離 1.5kV
應(yīng)用 ITE（商業(yè)）
特性 -
工作溫度 -40°C ~ 105°C
效率 90%
安裝類型 通孔
封裝/外殼 6-DIP 模塊
大小 / 尺寸 1.00" 長 x 1.00" 寬 x 0.46" 高（25.4mm x 25.4mm x 11.7mm）
晶圓代工龍頭臺積電2020年繳出亮麗成績單，預(yù)期全年美元營收年成長率逾3成并創(chuàng)下歷史新高。2021年雖然仍有新冠肺炎疫情蔓延、地緣政治及貿(mào)易戰(zhàn)等外在環(huán)境變量，但晶圓代工訂單強(qiáng)勁，第二季前產(chǎn)能利用率維持滿載。設(shè)備業(yè)者及市場法人看好臺積電2021年3nm產(chǎn)能建置及2nm技術(shù)研發(fā)加速進(jìn)行，全年資本支出將上看200億美元再創(chuàng)新高。
臺積電2020年資本支出估達(dá)170億美元，創(chuàng)下新高無虞。但7nm及5nm等先進(jìn)制程、16nm以上成熟制程等產(chǎn)能仍供不應(yīng)求。臺積電2021年持續(xù)擴(kuò)增產(chǎn)能以因應(yīng)強(qiáng)勁需求，包括Fab 18A廠第三期5nm產(chǎn)能將在第一季開出，F(xiàn)ab 18B廠3nm產(chǎn)能建置正加速進(jìn)行，同時提升2nm閘極全球場效晶體管（GAAFET）技術(shù)研發(fā)速度等。
以2021年新廠建置進(jìn)度來看，臺積電針對3nm制程打造的Fab 18B廠共3期工程已動工，美國5nm建廠即將展開，南科Fab 14廠會再興建P8廠做為特殊制程晶圓廠，并在同一廠區(qū)內(nèi)興建先進(jìn)封裝技術(shù)生產(chǎn)基地。再者，竹科廠區(qū)將興建擁有兩座研發(fā)晶圓廠的研發(fā)中心，其中R1研發(fā)晶圓廠預(yù)計(jì)2021年完工，做為2nm及更先進(jìn)制程的研發(fā)基地，竹南先進(jìn)封裝廠則如期進(jìn)行。
設(shè)備業(yè)者指出，受惠于5G及WiFi 6、人工智能及高效能運(yùn)算（AI/HPC）、車用及物聯(lián)網(wǎng)芯片等晶圓代工需求強(qiáng)勁，臺積電看好2021年產(chǎn)能持續(xù)供不應(yīng)求，7nm及5nm接單幾乎全滿，成熟制程產(chǎn)能全線吃緊，加上3nm產(chǎn)能建置及美國5nm新廠動工將同步展開，持續(xù)增加極紫外光（EUV）曝光機(jī)及相關(guān)設(shè)備采購規(guī)模，預(yù)期2021年資本支出將上看200億美元，連續(xù)3年創(chuàng)下歷史新高。
臺積電3nm將于2022年第二季進(jìn)入量產(chǎn)，5G及HPC應(yīng)用會是主要產(chǎn)品線。根據(jù)臺積電規(guī)畫，3nm晶圓廠廠房基地面積約為35公頃，潔凈室面積將超過16萬平方公尺，大約是22座標(biāo)準(zhǔn)足球場大小。3nm進(jìn)入量產(chǎn)時，當(dāng)年產(chǎn)能預(yù)估將超過每年60萬片12吋晶圓。業(yè)界預(yù)期臺積電會是全球第一家提供3nm量產(chǎn)的半導(dǎo)體廠，該廠區(qū)也會是全球擁有最多EUV產(chǎn)能的超大型晶圓廠（GigaFab）。
臺積電擴(kuò)大資本支出，大同盟合作伙伴直接受惠。其中，先進(jìn)制程晶圓廠及先進(jìn)封裝廠的建置，包括漢唐、帆宣、信纮科等廠務(wù)工程業(yè)者直接受惠，2021年在手訂單將續(xù)創(chuàng)新高。另外，臺積電擴(kuò)大EUV及先進(jìn)制程產(chǎn)能，極紫外光光罩盒（EUV Pod）供貨商家登及設(shè)備代工廠帆宣將受惠，設(shè)備及備品供貨商京鼎、弘塑、意德士等亦同步受惠。
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