MOSFET –單電源，
N通道
60 V，6.1 m，71安
•占地面積小（5x6毫米），緊湊設(shè)計
•低RDS（on）以最小化傳導(dǎo)損耗
•低QG和低電容，可最大程度減少駕駛員損失
•這些設(shè)備無鉛且符合RoHS要求
制造商: ON Semiconductor
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 71 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 8.8 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Qg-柵極電荷: 20 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 61 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
晶體管類型: 1 N-channel
商標: ON Semiconductor
正向跨導(dǎo) - 最小值: 82 S
下降時間: 4 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 60 ns
工廠包裝數(shù)量: 1500
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 15 ns
典型接通延遲時間: 11 ns
單位重量: 107.200 mg
