MOSFET –單，
N通道
40 V，0.92 m，300安
單N溝道功率MOSFET 40V，300A，0.92mΩ功率MOSFET 40V 300A 0.92mOhm單N溝道SO-8FL標(biāo)準(zhǔn)柵極，1500-REEL
•占地面積�。�5x6毫米），緊湊設(shè)計(jì)
•低RDS（on）以最小化傳導(dǎo)損耗
•低QG和低電容，可最大程度減少駕駛員損失
•這些設(shè)備無(wú)鉛且符合RoHS要求
制造商: ON Semiconductor
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 300 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 760 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
Qg-柵極電荷: 86 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 166 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
晶體管類型: 1 N-Channel
商標(biāo): ON Semiconductor
正向跨導(dǎo) - 最小值: 190 S
下降時(shí)間: 173 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 162 ns
工廠包裝數(shù)量: 1500
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 227 ns
典型接通延遲時(shí)間: 54 ns
單位重量: 107.200 mg
