MCR106-6G正品原裝進口現(xiàn)貨
MCR106-6G封裝：TO-126
MCR106-6G批號：20+
MCR106-6G品牌：ON/安森美
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制造商:
Littelfuse
產(chǎn)品種類:
SCR
RoHS:
詳細信息
系列:
MCR106
最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:
25 A
額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:
400 V
關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:
10 uA
開啟狀態(tài)RMS電流 - It RMS:
4 A
Vf - 正向電壓:
2 V
最大柵極峰值反向電壓:
6 V
柵極觸發(fā)電壓-Vgt:
1 V
柵極觸發(fā)電流-Igt:
0.2 mA
保持電流Ih最大值:
5 mA
最小工作溫度:
- 40 C
最大工作溫度:
+ 110 C
安裝風(fēng)格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
TO-225-3
封裝:
Bulk
電流額定值:
2.55 A
高度:
11.04 mm
長度:
7.74 mm
類型:
SCR
寬度:
2.66 mm
商標(biāo):
Littelfuse
不重復(fù)通態(tài)電流:
25 A
產(chǎn)品類型:
SCRs
子類別:
Thyristors
單位重量:
650 mg
來源：華強電子網(wǎng)作者：June時間：2020-11-18 18:02
3nm三星臺積電產(chǎn)能
11月18日消息，三星電子正向下一代芯片業(yè)務(wù)投入1160億美元，其中包括晶圓代工，三星正在加速與iPhone芯片制造商臺積電展開競爭，或?qū)⒃?022年大規(guī)模生產(chǎn)3nm芯片，希望在兩年后縮小與其差距，甚至生產(chǎn)業(yè)內(nèi)最先進的半導(dǎo)體。
畢竟，在時間節(jié)點的選擇上，三星與臺積電此前預(yù)計在2022年下半年3nm芯片量產(chǎn)的目標(biāo)是一致的。鑒于臺積電在7nm與5nm順利量產(chǎn)至逐步放量都領(lǐng)先三星約兩年，這將是兩強近年先進制程競逐賽中，最接近的一次。
技術(shù)上來看，三星希望通過采用“GAAFET”技術(shù)，可以做得更好甚至彎道超車。因為，這種技術(shù)改變了“游戲規(guī)則”，它可以更精確地控制跨通道的電流、縮小芯片面積并降低功耗。而臺積電還是延續(xù)以往更為穩(wěn)妥的路線，選擇成熟的FinFET架構(gòu)用于其3nm制程。
另外，有分析師認為，三星選擇的GAA技術(shù)有望在2024年被臺積電用于2nm制程工藝，甚至提前到2023年下半年。換言之，如果一切順利的話，三星最早能夠在臺積電2023年開始2nm生產(chǎn)之前，實現(xiàn)“趕超”。顯然，三星希望在芯片制造和5G網(wǎng)絡(luò)等先進領(lǐng)域重新實現(xiàn)領(lǐng)導(dǎo)地位，以推動其下一階段的增長。
編者認為，臺積電近年特別是今年，即便在限售令之下，各種供不應(yīng)求與爆單，一家獨大的臺積電，賺得盤滿缽滿，三星也都看在眼里。最核心的是，不同于一般臺系的終端代工體系，臺積電作為臺灣利潤率最高的科技公司，代表著臺灣地區(qū)科技含金量的最后一塊陣地，三星近年來頻頻遇挫，特別是在華的投資，都需要在不斷升級產(chǎn)業(yè)的水平，謀求更大的市場。
去年，臺積電控制了超過一半的芯片制造市場，而三星則不到20%。因此，三星做夢都想趕上臺積電，甚至尋求通過首次采新技術(shù)來彎道超車。不過，如果三星在初始階段不能快速提高高級節(jié)點的產(chǎn)量，也會面臨虧損的境地。
盡管三星已經(jīng)在存儲和顯示器領(lǐng)域做到全球頂尖，但代工及邏輯芯片行業(yè)還面臨著巨大的競爭壓力。而三星半導(dǎo)體今年的投資主要也是為了支持其主導(dǎo)地位的內(nèi)存業(yè)務(wù)，與發(fā)展高級邏輯芯片也并非直接相關(guān)。制造處理器比內(nèi)存復(fù)雜得多，其生產(chǎn)產(chǎn)量也更難控制，客戶或許還需要定制方案，這給快速復(fù)制帶來許多阻礙。
根據(jù) IC Insights昨日（17日）剛剛發(fā)布的《2020-2024年全球晶圓產(chǎn)能》報告，未來幾年后，10nm以下工藝的IC產(chǎn)能預(yù)計步入快速增長階段。到2020年底，該工藝產(chǎn)能預(yù)計將占總產(chǎn)能的10%，2022年將首次超過20%，而在2024年達到全球產(chǎn)能的30%。
顯然，工藝制程不斷縮小的動機是巨大的，但隨著芯片的制程越來越先進，IC設(shè)計制造精度的提高，也會讓邊際收益遞減，不斷擴展的成本優(yōu)勢已不再像過去，讓不少業(yè)內(nèi)人士懷疑功效的提升是否跟得上成本的增加。
最基本的，先進制程相關(guān)的設(shè)備成本已經(jīng)飆升至許多IC供應(yīng)商無法承受的地步。因此，目前只有臺積電、三星和英特爾寥寥幾家廠商有10nm以下工藝技術(shù)的晶圓廠。
正因如此，英特爾今年重磅宣布，將考慮外包生產(chǎn)其最重要的芯片，這無疑也佐證了，隨著技術(shù)的不斷演進，芯片代工行業(yè)頭部效應(yīng)和專一性更為凸顯。鑒于業(yè)務(wù)復(fù)雜程度的縱深發(fā)展，以往那種“打醬油”的玩法已經(jīng)跟不上時代的潮流了。
此外，IC insights還提供了一些關(guān)鍵性數(shù)據(jù)：
在20nm以下的工藝當(dāng)中，韓國擁有66%的產(chǎn)能，這得益于三星和SK海力士的廠商對高密度DRAM，閃存和三星應(yīng)用處理器的相對壟斷。從國家層面來看，韓國的領(lǐng)先優(yōu)勢是非常明顯的。
而得益于臺積電的先進工藝一家獨大，中國臺灣20nm以下工藝的產(chǎn)能也超過35%。除此之外，28nm、45/40nm和65nm世代也為臺積電和聯(lián)電等代工廠創(chuàng)造了大量業(yè)務(wù)。
中國大陸大多數(shù)20nm以下的產(chǎn)能則由包括三星、英特爾和臺積電等其他國家的廠商控制，長江存儲和中芯國際是僅有的提供20nm以下制程技術(shù)的中國大陸公司。
編者認為，目前來看，雖然三星獲得了一定的市場訂單，但臺積電的客戶群體龐大，很多都是長期合作過來的，設(shè)計和制造已經(jīng)磨合得很好了，成本上的控制也能去到一個相對穩(wěn)定水平。
不過，此消彼長，行業(yè)也會帶來一些新的機會，而即使臺積電目前是一家獨大，但也無法迅速擴大產(chǎn)能，包括滿足所有需求。全球化的時代，客戶也希望不受牽制，培養(yǎng)“備胎”而使用多個代工廠，這對于其他廠商來說，也是一次逆襲的機會。
從歷史上來看，三星與英特爾的企業(yè)文化不盡相同，在某些領(lǐng)域還是相對堅持的，并沒有放棄芯片制造，今年在韓國南部城市開始其第一家基于EUV的專用工廠生產(chǎn)，而第二家工廠在平澤，計劃于2021年下半年量產(chǎn)，屆時，其代工業(yè)務(wù)的增長率也將會去到一個新的水平。
總的來說，三星近期動作頻頻，上周剛剛發(fā)布完自家5nm制程的5G芯片，本周又積極宣傳3nm技術(shù)藍圖，發(fā)布消息密集，宣示性意味也濃厚。盡管三星在制造芯片和終端設(shè)備領(lǐng)域都有建樹，能夠設(shè)身處地預(yù)見和滿足其客戶的工程技術(shù)要求，例如打包到單個模塊中的能力。但對客戶來說，無疑等于直接將生產(chǎn)外包給競爭對手，這是許多廠商忌諱的事情，最起碼，臺積電沒有與客戶進行直接競爭。
