描述：FDPF12N60NZ
FDPF12N60NZ：功率MOSFET，N長度，UniFETTM II，600 V，12 A，650mΩ，TO-220F
UniFETTM II MOSFET是基于先進的平面條紋和DMOS技術(shù)的高壓MOSFET系列。此先進的MOSFET系列在平面MOSFET中具有最小的導通電阻，同時可提供卓越的開關(guān)性能和更高的雪崩能量強度。另外， 內(nèi)部門極電源ESD二極管二極管UniFET II MOSFET可承受2kV以上的HBM電涌應力。此器件系列適用于開關(guān)電力轉(zhuǎn)換器應用，如功率系數(shù)校正（PFC），平板顯示屏（FPD）TV電源，ATX和 電子燈鎮(zhèn)流器。
特性：FDPF12N60NZ
RDS（on）=530mΩ（典型值）@ VGS = 10V，ID = 6A血漿含量低（典型值：26nC）
低Crss（典型值12pF）
100％經(jīng)過雪崩擊穿測試
提高了dv / dt性能
改進了ESD防護能力
符合RoHS標準
符合RoHS
應用：FDPF12N60NZ
該產(chǎn)品是一般用途，適用于許多不同的應用程序。
液晶/ LED / PDP電視
燈光
不間斷電源
制造商:FDPF12N60NZ
ON Semiconductor
產(chǎn)品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術(shù):
Si
安裝風格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
TO-220FP-3
通道數(shù)量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
600 V
Id-連續(xù)漏極電流:
12 A
Rds On-漏源導通電阻:
530 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:
5 V
Qg-柵極電荷:
34 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
39 W
配置:
Single
商標名:
UniFET
封裝:
Tube
高度:
16.07 mm
長度:
10.36 mm
系列:
FDPF12N60NZ
晶體管類型:
1 N-Channel
寬度:
4.9 mm
商標:
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值:
13.5 S
下降時間:
130 ns
產(chǎn)品類型:
MOSFET
上升時間:
110 ns
工廠包裝數(shù)量:
1000
子類別:
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:
170 ns
典型接通延遲時間:
60 ns
單位重量:
2.270 g
