描述：SSM3J332R
東芝場效應(yīng)晶體管硅P溝道MOS類型（U-MOSVI）
特征：SSM3J332R
○電源管理開關(guān)應(yīng)用
•1.8V驅(qū)動器
•低導(dǎo)通電阻：RDS（ON）= 144mΩ（最大值）（@ VGS = -1.8 V）
RDS（ON）= 72.0mΩ（最大值）（@VGS = -2.5 V）
RDS（ON）= 50.0mΩ（最大值）（@VGS = -4.5 V）
RDS（ON）= 42.0mΩ（最大值）（@VGS = -10 V）
注意：在重負(fù)載下連續(xù)使用（例如溫度/電流/電壓以及顯著變化溫度等）可能會導(dǎo)致本產(chǎn)品的即使在工作條件下（例如工作溫度/電流/電壓等）絕對最大額定值。請在查看以下內(nèi)容后設(shè)計適當(dāng)?shù)目煽啃詵|芝半導(dǎo)體可靠性手冊（“處理
預(yù)防措施” /“降額概念和方法”）以及單個可靠性數(shù)據(jù)（即可靠性測試報告和估計失敗率等）。
注1：在使用過程中，通道溫度不應(yīng)超過150°C。
注2：PW≤1ms，占空比≤1％
注3：安裝在FR4板上。
（25.4毫米×25.4毫米×1.6毫米，銅墊：645平方毫米）
制造商:SSM3J332R
Toshiba
產(chǎn)品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細(xì)信息
技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOT-23F-3
通道數(shù)量:
1 Channel
晶體管極性:
P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
30 V
Id-連續(xù)漏極電流:
6 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:
144 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
12 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
- 1.2 V
Qg-柵極電荷:
8.2 nC
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
1 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商標(biāo)名:
U-MOSVI
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
0.9 mm
長度:
2.9 mm
系列:
SSM3J332
晶體管類型:
1 P-Channel
寬度:
1.3 mm
商標(biāo):
Toshiba
正向跨導(dǎo) - 最小值:
5.7 S
產(chǎn)品類型:
MOSFET
工廠包裝數(shù)量:
3000
子類別:
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:
75 ns
典型接通延遲時間:
15 ns
單位重量:
8 mg
