N和P通道30 V（D-S）MOSFET
•無(wú)鹵，符合IEC 61249-2-21
定義
•TrenchFET®功率MOSFET
•已通過(guò)100％汞測(cè)試
•經(jīng)過(guò)100％UIS測(cè)試
•符合RoHS指令2002/95 / EC
•DC / DC轉(zhuǎn)換器
•負(fù)荷開(kāi)關(guān)
制造商: Vishay
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8
晶體管極性: N-Channel, P-Channel
通道數(shù)量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 4.3 A, 6 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 47 mOhms, 89 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 6 nC, 7.8 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.78 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Dual
系列: SI4
晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
商標(biāo): Vishay Semiconductors
正向跨導(dǎo) - 最小值: 7 S
下降時(shí)間: 6 ns, 7.7 ns
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 12 ns, 13 ns
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類(lèi)別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 14 ns, 17 ns
典型接通延遲時(shí)間: 5.5 ns, 7 ns
零件號(hào)別名: SI4532CDY-GE3
單位重量: 750 mg
