描述:CSD18531Q5A
60V，3.5mΩ，5mm x 6mm NexFET™電源MOSFET旨在最大程度地減少功率損耗轉(zhuǎn)換申請
1特點:CSD18531Q5A
1•超低Qg和Qgd
•低熱阻
•雪崩等級
•邏輯水平
•無鉛端子電鍍
•符合RoHS
•無鹵素
•SON 5毫米×6毫米塑料封裝
2應(yīng)用:CSD18531Q5A
•DC-DC轉(zhuǎn)換
•二次側(cè)同步整流器
•電池電機控制
制造商:CSD18531Q5A
Texas Instruments
產(chǎn)品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術(shù):
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
VSONP-8
通道數(shù)量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
60 V
Id-連續(xù)漏極電流:
100 A
Rds On-漏源導通電阻:
4.6 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
1.5 V
Qg-柵極電荷:
36 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
156 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商標名:
NexFET
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
1 mm
長度:
6 mm
系列:
CSD18531Q5A
晶體管類型:
1 N-Channel Power MOSFET
寬度:
4.9 mm
商標:
Texas Instruments
開發(fā)套件:
DRV8711EVM
下降時間:
2.7 ns
產(chǎn)品類型:
MOSFET
上升時間:
7.8 ns
工廠包裝數(shù)量:
2500
子類別:
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:
20 ns
典型接通延遲時間:
4.4 ns
單位重量:
87.800 mg
