DMP3100L-7正品原裝進口現貨
DMP3100L-7封裝：SOT-23
DMP3100L-7批號：20+
DMP3100L-7品牌：DIODES/美臺
以下為公司現貨庫存，歡迎來電咨詢！
TW8819-NA2-CRT ，MC79M12CDTRKG ，EFM8BB21F16G-C-QSOP24R ， IGCM15F60GA ， EFM8SB20F32G-B-QFN24R，NAU8810YG ；
MC79M12CDTRKG，TPS61089RNRR，TPA3116D2DADR ， TPA3118D2DAPR ， N32926U1DN ，NUC972DF62Y/61Y ， NUC100RE3DN ，
MINI58ZDE ， TLC5971RGER , BQ25619RTWR , TPS62262TDRVRQ1 , LIF-MD6000-6UMG64I , TSSP4038 , IPW65R110CFDA , CY8C4014SXI421T ,
MFI343S00177 , MK10DN512VLL10 ,MC79M12CDTRKG , SC16IS740IPW, NAU8810YG MC74LCX07DR2G , 74LVC1G08GV,125 , TAS5719PHPR ,
PCM1808PWR , TPS2511DGNR , TPS54331DDAR , MC14052BDTR2G , MC14053BDTR2G , MBRD640CTT4G, TPS7A4001DGNR , TPS7A7001DDAR ,
CS6N70 ,STM32F101VCT6 , XMC1302-T038X0032AB , SC16IS752IBS , PESD5V0X1BCSFYL , BSS131H6327, AW9523BTQR , NSR0530HT1G ,
BSC067N06LS3GATMA1 , MC33078DR2G, BZX384-B5V6，115 , AAT4610IGV-1-T1, 0603ESDA2-TR2 , IRLMS6802TRPBF, AMS1117-5.0V ,
ZXM64N035GTA , RN1317 , IPD600N25N3G , BL5372 , AD9514BCPZ-REEL7 , BQ24314ADSGR , TPS61220DCKR , LM3478MMX , TAS5754MDCAR ,
XC3S50A-4FT256C , TS321QDBVRQ1 , DRV8870DDAR , EPM7128AETC144-7 , EPF10K130EF1484-2 , EP1S80F1020C6 ,
XC4VFX20-10FFG672C , XC4VFX20-10FFG672I , XC5VSX50T-1FFG665I , XC2VP40-6FF1152I , XC5VLX155T-1FFG1136I,
XC7K325T-2FFG900I , XC3S100E-TQG144, XC5VFX100T-2FFG1738I,XC4VFX20-10FF672I , XC3S1600R-4FG320I, AP4306BTTR-G1 ,
SN74LVU04ADBR,BSC057N06 , TS321QDBVRQ1 ,MC79M12CDTRKG,TAS5754MDCAR ,MC79M12CDTRKG, MC79M12CDTRKG ,
PCM1808PWR , TAS5731MPHRR, TPS54202DDCR, TPA3130D2DAPR , TAS5782MDCAR , TPS5548DCAR , TPA3221DDVR, TLV320AIC3254IRHBR ,
TPA3118D2DAPR , PCM5141PWR ,PCM5100APWR.TW8819-NA2-CRT ，MC79M12CDTRKG ，EFM8BB21F16G-C-QSOP24R ，
IGCM15F60GA ， EFM8SB20F32G-B-QFN24R，NAU8810YG ，MC79M12CDTRKG，TPS61089RNRR，TPA3116D2DADR ，
TPA3118D2DAPR ， N32926U1DN ，NUC972DF62Y/61Y ， NUC100RE3DN ， MINI58ZDE ， TLC5971RGER , BQ25619RTWR ,
TPS62262TDRVRQ1 , LIF-MD6000-6UMG64I , TSSP4038 , IPW65R110CFDA , CY8C4014SXI-421T , MFI343S00177 , MK10DN512VLL10 ,
MC79M12CDTRKG , SC16IS740IPW, NAU8810YG , MC74LCX07DR2G , 74LVC1G08GV,125 , TAS5719PHPR , PCM1808PWR ,
TPS2511DGNR , TPS54331DDAR , MC14052BDTR2
制造商:
Diodes Incorporated
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOT-23-3
晶體管極性:
P-Channel
通道數量:
1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
30 V
Id-連續(xù)漏極電流:
2.7 A
Rds On-漏源導通電阻:
100 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
- 20 V, + 20 V
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
1.08 W
通道模式:
Enhancement
配置:
Single
高度:
1 mm
長度:
2.9 mm
產品:
MOSFET Small Signal
系列:
DMP3100
晶體管類型:
1 P-Channel
寬度:
1.3 mm
商標:
Diodes Incorporated
產品類型:
MOSFET
子類別:
MOSFETs
單位重量:
8 mg
Qorvo推出適合雷達應用的超緊湊GaN X頻段前端模塊
來源：華強電子網作者：時間：2018-06-25 11:07
Qorvo雷達應用GaN X
移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?, Inc.(納斯達克代碼：QRVO)，今日宣布推出針對下一代有源電子掃描陣列 (AESA) 雷達設計的高性能 X 頻段前端模塊 (FEM)---QPM2637 和 QPM1002。這些符合出口標準的氮化鎵 (GaN) 產品也符合任務關鍵型操作所必需的高 RF 功率生存性要求。
預計到 2022 年，適合雷達應用的 RF 前端組件的需求量將超過 10 億美元，未來五年的復合年增長率為 9%。由于 GaN 普及率明顯超過其他技術選項，因此預計未來五年，國防應用的 RF GaN 器件市場(如雷達、電子戰(zhàn)和通信)的復合年增長率將達到 24%。
Qorvo 的新型 FEM(QPM2637 和 QPM1002)采用公司的創(chuàng)新 GaN 技術構建，可實現更高的效率、可靠性、功率和生存性，同時可縮減尺寸、重量和成本。
GaN FEM 在緊湊的單封裝中集成了四種功能，包括 RF 開關、功率放大器、低噪聲放大器和限幅器。典型的砷化鎵 (GaAs) 低噪聲放大器在不到 100mW 的輸入功率條件下都會受損，與之相比，GaN FEM 的接收端可承受最高 4W 的輸入功率，且不會造成永久損壞。
Qorvo 高性能解決方案總經理 Roger Hall 表示：“利用 Qorvo 經過現場驗證的 GaN 技術，客戶可解決許多 AESA 雷達系統(tǒng)設計相關挑戰(zhàn)，包括提高功率輸出和可靠性。新推出的 GaN 模塊符合出口要求，提升了我們交付最高級別集成產品(四合一產品)的能力，有助于客戶針對任務關鍵性雷達系統(tǒng)選擇尺寸最小但性能最高的 FEM。”
