一般說明：GD32F103C8T6
GD32F103C8T6器件是基于Arm®的32位通用微控制器Cortex®-M3RISC內(nèi)核在處理能力，降低功耗方面具有最佳比率消耗和外圍設(shè)備。 Cortex®-M3是下一代處理器內(nèi)核，與嵌套向量中斷控制器（NVIC），SysTick計(jì)時(shí)器和高級(jí)調(diào)試支持。
GD32F103C8T6器件集成了Arm®Cortex®-M332位處理器內(nèi)核以108 MHz的頻率使用Flash時(shí)，訪問零等待狀態(tài)以獲得最大效率。它
提供多達(dá)3 MB的片上Flash存儲(chǔ)器和多達(dá)96 KB的SRAM存儲(chǔ)器。廣泛的連接到兩條APB總線的一系列增強(qiáng)型I / O和外圍設(shè)備。設(shè)備提供最多三個(gè)12位ADC，最多兩個(gè)12位DAC，最多十個(gè)通用16位定時(shí)器，兩個(gè)基本定時(shí)器加上兩個(gè)PWM高級(jí)計(jì)時(shí)器，以及標(biāo)準(zhǔn)和高級(jí)通信接口：多達(dá)三個(gè)SPI，兩個(gè)I2C，三個(gè)USART，兩個(gè)UART，兩個(gè)I2S，一個(gè)USBD，一個(gè)CAN和一個(gè)SDIO。該器件采用2.6至3.6 V電源供電，工作溫度范圍為–40至+85°C溫度范圍。多種省電模式提供最大程度的靈活性
喚醒延遲和功耗之間的優(yōu)化，這一點(diǎn)尤其重要低功耗應(yīng)用中的考慮因素。上述功能使GD32F103C8T6器件適用于廣泛的應(yīng)用，特別是在工業(yè)控制，電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器，電源監(jiān)控器和警報(bào)系統(tǒng)等領(lǐng)域，消費(fèi)和手持設(shè)備，POS，車載GPS，可視對(duì)講，PC外設(shè)和很快
功能說明：GD32F103C8T6
3.1。 Arm®Cortex®-M3內(nèi)核
Cortex®-M3處理器是用于嵌入式系統(tǒng)的最新一代Arm®處理器。
開發(fā)它是為了提供滿足MCU需求的低成本平臺(tái)
實(shí)施，同時(shí)減少了引腳數(shù)并降低了功耗
出色的計(jì)算性能和對(duì)中斷的高級(jí)系統(tǒng)響應(yīng)。
32位Arm®Cortex®-M3處理器內(nèi)核
最高108 MHz的工作頻率
單周期乘法和硬件除法器
集成嵌套向量中斷控制器（NVIC）
24位SysTick計(jì)時(shí)器
Cortex®-M3處理器基于ARMv7架構(gòu)，同時(shí)支持Thumb
和Thumb-2指令集。以下列出的一些系統(tǒng)外圍設(shè)備也由
Cortex®-M3：GD32F103C8T6
與I代碼總線，D代碼總線，系統(tǒng)總線，專用總線連接的內(nèi)部總線矩陣
外圍總線（PPB）和調(diào)試訪問。
嵌套向量中斷控制器（NVIC）。
閃存修補(bǔ)程序和斷點(diǎn)（FPB）。
數(shù)據(jù)觀察點(diǎn)和跟蹤（DWT）。
儀器跟蹤宏單元（ITM）。
嵌入式跟蹤宏單元（ETM）。
串行線JTAG調(diào)試端口（SWJ-DP）。
跟蹤端口接口單元（TPIU）。
內(nèi)存保護(hù)單元（MPU）。
3.2。片上存儲(chǔ)器GD32F103C8T6
高達(dá)3072 KB的閃存
高達(dá)96 KB的SRAM
Arm®Cortex®-M3處理器采用哈佛架構(gòu)，可以單獨(dú)使用
總線以獲取指令并加載/存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。 3072 KB的內(nèi)部Flash和96 KB的內(nèi)部Flash
內(nèi)部SRAM最多可用于存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)，都可以在CPU上進(jìn)行訪問（R / W）
等待狀態(tài)為零的時(shí)鐘速度。表2-4。GD32F103C8T6的內(nèi)存映射顯示
GD32F103C8T6系列設(shè)備的內(nèi)存映射，包括代碼，SRAM，外設(shè)和
其他預(yù)定義區(qū)域。
3.3。時(shí)鐘，重置和電源管理GD32F103C8T6
內(nèi)部8 MHz工廠調(diào)整的RC和外部4至16 MHz晶體振蕩器
內(nèi)部40 KHz RC校準(zhǔn)振蕩器和外部32.768 KHz晶體振蕩器
集成系統(tǒng)時(shí)鐘PLL
2.6至3.6 V應(yīng)用電源和I / O
電源監(jiān)控器：POR（上電復(fù)位），PDR（掉電復(fù)位）和低電壓
探測器（LVD）GD32F103C8T6
時(shí)鐘控制單元提供一系列頻率和時(shí)鐘功能。這些包括
內(nèi)部8M RC振蕩器（IRC8M），高速晶體振蕩器（HXTAL），低速
內(nèi)部40K RC振蕩器（IRC40K），低速晶體振蕩器（LXTAL），鎖相
環(huán)路（PLL），HXTAL時(shí)鐘監(jiān)視器，時(shí)鐘預(yù)分頻器，時(shí)鐘多路復(fù)用器和時(shí)鐘門控
電路。 AHB，APB2和APB1域的頻率可以分別配置
預(yù)分頻器。 AHB，APB2和APB1域的最大頻率為108 MHz / 108
MHz / 54 MHz。參見圖2-8。有關(guān)詳細(xì)信息，請(qǐng)參見GD32F103C8T6時(shí)鐘樹。
GD32F103C8T6復(fù)位控制包括三種復(fù)位控制：電源復(fù)位，系統(tǒng)復(fù)位
重置和備份域重置。系統(tǒng)重置將重置處理器核心和外圍設(shè)備
IP組件（SW-DP控制器和備份域除外）。上電復(fù)位
（POR）和掉電復(fù)位（PDR）始終處于活動(dòng)狀態(tài)，并確保啟動(dòng)正確的操作
從2.6V /下降至2.6V。當(dāng)VDD低于指定電壓時(shí)，器件保持復(fù)位模式
臨界點(diǎn)。嵌入式低壓檢測器（LVD）監(jiān)控電源，比較
它達(dá)到電壓閾值并生成中斷，作為警告消息，以引導(dǎo)
MCU變成安全。
電源方案：GD32F103C8T6
VDD范圍：2.6至3.6 V，用于I / O的外部電源和內(nèi)部穩(wěn)壓器。
通過VDD引腳從外部提供。
VSSA，VDDA范圍：2.6至3.6 V，用于ADC的外部模擬電源，復(fù)位模塊，
RC和PLL。 VDDA和VSSA必須分別連接到VDD和VSS。
VBAT范圍：1.8至3.6 V，RTC電源，外部時(shí)鐘32 KHz振蕩器和
當(dāng)VDD不存在時(shí)（通過電源開關(guān)）備份寄存器。
3.4。開機(jī)模式GD32F103C8T6
在啟動(dòng)時(shí)，啟動(dòng)引腳用于選擇以下三個(gè)啟動(dòng)選項(xiàng)之一：
從主閃存啟動(dòng)（默認(rèn)）
從系統(tǒng)內(nèi)存啟動(dòng)
從片上SRAM引導(dǎo)
引導(dǎo)加載程序位于內(nèi)部引導(dǎo)ROM內(nèi)存（系統(tǒng)內(nèi)存）中。它用來
如果設(shè)備是USB，請(qǐng)使用USART0（PA9和PA10）對(duì)閃存進(jìn)行重新編程。
GD32F103xF / G / I / K，USART1（PA2和PA3）也可用于啟動(dòng)功能。它還可以用于傳輸和更新閃存代碼，數(shù)據(jù)和向量表部分。
默認(rèn)情況下，選擇從閃存的存儲(chǔ)區(qū)0引導(dǎo)。它還支持啟動(dòng)
通過在選項(xiàng)字節(jié)中設(shè)置一個(gè)位來從閃存的存儲(chǔ)體1中進(jìn)行選擇。
詳細(xì)參數(shù)：GD32F103C8T6
參數(shù)名稱參數(shù)值
生命周期聯(lián)系制造商
IHS制造商GIGADEVICE SEMICONDUCTOR INC
零件包裝代碼
包裝說明LQFP-48
達(dá)到合規(guī)性代碼未知
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)5.8
最高速度（MHz）108
內(nèi)存（字節(jié)）閃存64K
內(nèi)存（字節(jié)）SRAM 20K
I / O最高37GD32F103C8T6
計(jì)時(shí)器GPTM（32位）
計(jì)時(shí)器GPTM（16位）3
計(jì)時(shí)器高級(jí)TM（16位）1
計(jì)時(shí)器基本TM（16位）
計(jì)時(shí)器SysTick（24位）1
定時(shí)器WDG 2
計(jì)時(shí)器RTC 1
連接性USART
連接性I2C 2
連接性SPI 2
連接性USB 2 FS 1
連接性I2S
連接性比較GD32F103C8T6
連接性運(yùn)算放大器
模擬接口12位ADC單元（CH）2（10）
模擬接口12位DAC單元
封裝LQFP48
以下物料均有現(xiàn)貨庫存：GD32F103C8T6
GD32F103RCT6
GD32F103CBT6
GD32F107RCT6
GD32F103C8T6
GD32F130C8T6
GD32F130F8P6TR
GD32F150C8T6
GD32F150G8U6
GD32F103VBT6
GD32F103RBT6
GD32F103TBU6
GD32F103VCT6
GD32F103VGT6
GD32F103VET6
GD32F103RET6
GD32F105VCT6
GD32F105RCT6
GD32F107VCT6
GD32F303VET6
GD32F303RCT6
GD32F305VCT6
GD32F330C8T6
GD32F330CBT6
GD32F350G6U6TR
GD32F303CCT6
GD32F303RGT6
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