一般說明：GD32F103VCT6
GD32F103VCT6器件是基于ARM®的32位通用微控制器Cortex™-M3 RISC內(nèi)核在處理能力，降低功耗方面具有最佳比率消耗和外圍設(shè)備。 Cortex™-M3是下一代處理器內(nèi)核，與嵌套向量中斷控制器（NVIC），SysTick計時器和高級調(diào)試支持。
GD32F103VCT6器件集成了ARM®Cortex™-M3 32位處理器內(nèi)核以108 MHz的頻率運(yùn)行，閃存訪問零等待狀態(tài)以獲得最大值
效率。它提供多達(dá)3 MB的片上Flash存儲器和多達(dá)96 KB的SRAM存儲器。一個連接到兩條APB總線的各種增強(qiáng)型I / O和外圍設(shè)備。設(shè)備提供多達(dá)三個12位ADC，多達(dá)兩個12位DAC，多達(dá)十個通用16位定時器，兩個基本定時器加上兩個PWM高級定時器，以及標(biāo)準(zhǔn)和高級通信接口：最多三個SPI，兩個I2C，三個USART，兩個UART，兩個I2S，一個USBD，一個CAN和SDIO。該器件采用2.6至3.6 V電源供電，工作溫度范圍為–40至+85°C溫度范圍。多種省電模式提供最大程度的靈活性喚醒延遲和功耗之間的優(yōu)化，這一點(diǎn)尤其重要低功耗應(yīng)用中的考慮因素。上述功能使GD32F103VCT6器件適用于廣泛的應(yīng)用，
特別是在工業(yè)控制，電動機(jī)驅(qū)動器，電源監(jiān)控器和警報系統(tǒng)等領(lǐng)域，消費(fèi)和手持設(shè)備，POS，車載GPS，可視對講，PC外設(shè)和
很快。
功能說明：GD32F103VCT6
3.1。 ARM®Cortex™-M3內(nèi)核
Cortex™-M3處理器是用于嵌入式的最新一代ARM®處理器
系統(tǒng)。開發(fā)它是為了提供滿足MCU需求的低成本平臺
實(shí)施，同時減少了引腳數(shù)并降低了功耗
出色的計算性能和對中斷的高級系統(tǒng)響應(yīng)。
32位ARM®Cortex™-M3處理器內(nèi)核
最高108 MHz的工作頻率
單周期乘法和硬件除法器
集成嵌套向量中斷控制器（NVIC）
24位SysTick計時器
Cortex™-M3處理器基于ARMv7架構(gòu)，并且支持Thumb
和Thumb-2指令集。以下列出的一些系統(tǒng)外圍設(shè)備也由
Cortex™-M3：GD32F103VCT6
與I代碼總線，D代碼總線，系統(tǒng)總線，專用總線連接的內(nèi)部總線矩陣
外圍總線（PPB）和調(diào)試訪問。
嵌套向量中斷控制器（NVIC）。
閃存修補(bǔ)程序和斷點(diǎn)（FPB）。
數(shù)據(jù)觀察點(diǎn)和跟蹤（DWT）。
儀器跟蹤宏單元（ITM）。
嵌入式跟蹤宏單元（ETM）。
串行線JTAG調(diào)試端口（SWJ-DP）。
跟蹤端口接口單元（TPIU）。
內(nèi)存保護(hù)單元（MPU）。
3.2。片上存儲器GD32F103VCT6
高達(dá)3072 KB的閃存
高達(dá)96 KB的SRAM
ARM®Cortex™-M3處理器采用哈佛架構(gòu)構(gòu)建，可以使用單獨(dú)的總線以獲取指令并加載/存儲數(shù)據(jù)。 3072 KB的內(nèi)部Flash和96
內(nèi)部SRAM最多可用于存儲程序和數(shù)據(jù)，兩者均可訪問（R / W）在CPU時鐘速度下具有零等待狀態(tài)。表2-4。GD32F103VCT6內(nèi)存映射顯示GD32F103VCT6系列設(shè)備的存儲器映射，包括代碼，SRAM，外圍區(qū)域和其他預(yù)定義區(qū)域。
3.3。時鐘，重置和電源管理GD32F103VCT6
內(nèi)部8 MHz工廠調(diào)整的RC和外部4至16 MHz晶體振蕩器
內(nèi)部40 KHz RC校準(zhǔn)振蕩器和外部32.768 KHz晶體振蕩器
集成系統(tǒng)時鐘PLL
2.6至3.6 V應(yīng)用電源和I / O
電源監(jiān)控器：POR（上電復(fù)位），PDR（掉電復(fù)位）和低電壓
探測器（LVD）GD32F103VCT6
時鐘控制單元提供一系列頻率和時鐘功能。這些包括
內(nèi)部8M RC振蕩器（IRC8M），高速晶體振蕩器（HXTAL），低速
內(nèi)部40K RC振蕩器（IRC40K），低速晶體振蕩器（LXTAL），鎖相
環(huán)路（PLL），HXTAL時鐘監(jiān)視器，時鐘預(yù)分頻器，時鐘多路復(fù)用器和時鐘門控
電路。 AHB，APB2和APB1域的頻率可以分別配置
預(yù)分頻器。 AHB，APB2和APB1域的最大頻率為108 MHz / 108
MHz / 54 MHz。參見圖2-8。有關(guān)詳細(xì)信息，請參見GD32F103xx時鐘樹。
GD32F103VCT6復(fù)位控制包括三種復(fù)位控制：電源復(fù)位，系統(tǒng)復(fù)位
重置和備份域重置。系統(tǒng)重置將重置處理器核心和外圍設(shè)備
IP組件（SW-DP控制器和備份域除外）。上電復(fù)位
（POR）和掉電復(fù)位（PDR）始終處于活動狀態(tài)，并確保啟動正確的操作
從2.6V /下降至2.6V。當(dāng)VDD低于指定電壓時，器件保持復(fù)位模式
臨界點(diǎn)。嵌入式低壓檢測器（LVD）監(jiān)控電源，比較
它達(dá)到電壓閾值并生成中斷，作為警告消息，以引導(dǎo)
MCU變成安全。
電源方案：GD32F103VCT6
VDD范圍：2.6至3.6 V，用于I / O的外部電源和內(nèi)部穩(wěn)壓器。
通過VDD引腳從外部提供。
VSSA，VDDA范圍：2.6至3.6 V，用于ADC的外部模擬電源，復(fù)位模塊，
RC和PLL。 VDDA和VSSA必須分別連接到VDD和VSS。
VBAT范圍：1.8至3.6 V，RTC電源，外部時鐘32 KHz振蕩器和
當(dāng)VDD不存在時（通過電源開關(guān)）備份寄存器。
3.4。開機(jī)模式GD32F103VCT6
在啟動時，啟動引腳用于選擇以下三個啟動選項之一：
從主閃存啟動（默認(rèn)）
從系統(tǒng)內(nèi)存啟動
從片上SRAM引導(dǎo)
引導(dǎo)加載程序位于內(nèi)部引導(dǎo)ROM內(nèi)存（系統(tǒng)內(nèi)存）中。它用來如果設(shè)備是USB，請使用USART0（PA9和PA10）對閃存進(jìn)行重新編程。
GD32F103xF / G / I / K，USART1（PA2和PA3）也可用于啟動功能。它也可以用于傳輸和更新閃存代碼，數(shù)據(jù)和向量表部分。
默認(rèn)情況下，選擇從閃存的存儲區(qū)0引導(dǎo)。它還支持啟動通過在選項字節(jié)中設(shè)置一個位來從閃存的存儲體1中進(jìn)行選擇。
詳細(xì)參數(shù)：GD32F103VCT6
參數(shù)名稱參數(shù)值
生命周期聯(lián)系制造商
IHS制造商GIGADEVICE SEMICONDUCTOR INC
零件包裝代碼
包裝說明LQFP-100
達(dá)到合規(guī)性代碼未知
風(fēng)險等級5.8
最高速度（MHz）108
內(nèi)存（字節(jié)）閃存256K
內(nèi)存（字節(jié)）SRAM 48K
I / O最高80GD32F103VCT6
計時器GPTM（32位）
計時器GPTM（16位）4
計時器高級TM（16位）2
計時器基本TM（16位）2
計時器SysTick（24位）1
定時器WDG 2
計時器RTC 1GD32F103VCT6
連接性USART
連接性I2C 2
連接性SPI 3
連接性USB 2 FS 1
連接性I2S 2
連接性比較
連接性運(yùn)算放大器
模擬接口12位ADC單元（CH）3（16）
模擬接口12位DAC單元2
封裝LQFP100
以下物料均有現(xiàn)貨庫存：GD32F103VCT6
GD32F103RCT6
GD32F103CBT6
GD32F107RCT6
GD32F103C8T6
GD32F130C8T6
GD32F130F8P6TR
GD32F150C8T6
GD32F150G8U6
GD32F103VBT6
GD32F103RBT6
GD32F103TBU6
GD32F103VCT6
GD32F103VGT6
GD32F103VET6
GD32F103RET6
GD32F105VCT6
GD32F105RCT6
GD32F107VCT6
GD32F303VET6
GD32F303RCT6
GD32F305VCT6
GD32F330C8T6
GD32F330CBT6
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GD32F303CCT6
GD32F303RGT6
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