描述：CSD87330Q3D
CSD87330Q3D NexFET™電源塊是針對(duì)同步降壓應(yīng)用而優(yōu)化的設(shè)計(jì)，可在3.3mm×3.3mm的小外形尺寸內(nèi)提供高電流，高效率和高頻能力。 該產(chǎn)品針對(duì)5 V柵極驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，提供了靈活的解決方案，當(dāng)與來(lái)自外部控制器/驅(qū)動(dòng)器的任何5 V柵極驅(qū)動(dòng)器配對(duì)時(shí)，能夠提供高密度電源。
產(chǎn)品特性：CSD87330Q3D
半橋電源塊
高達(dá)27V的VIN
15 A時(shí)90％系統(tǒng)效率
高達(dá)20A的運(yùn)行
高頻操作（高達(dá)1.5 MHz）
高密度SON 3.3mm×3.3mm占位面積
針對(duì)5V柵極驅(qū)動(dòng)進(jìn)行了優(yōu)化
低開(kāi)關(guān)損耗
超低電感封裝
符合RoHS
無(wú)鹵素
無(wú)鉛端子電鍍
制造商:CSD87330Q3D
Texas Instruments
產(chǎn)品種類(lèi):
MOSFET
RoHS:
詳細(xì)信息
技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
LSON-CLIP-8
晶體管極性:
N-Channel
通道數(shù)量:
2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
30 V
Id-連續(xù)漏極電流:
20 A
Vgs - 柵極-源極電壓:
10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
1 V, 750 mV
Qg-柵極電荷:
4.8 nC, 9.6 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
6 W
通道模式:
Enhancement
商標(biāo)名:
NexFET
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
配置:
Dual
高度:
1.5 mm
長(zhǎng)度:
3.3 mm
系列:
CSD87330Q3D
晶體管類(lèi)型:
2 N-Channel
寬度:
3.3 mm
商標(biāo):
Texas Instruments
正向跨導(dǎo) - 最小值:
76 S, 51 S
開(kāi)發(fā)套件:
EVMK2GXS, EVMK2G, EVMK2GX
下降時(shí)間:
1.7 ns, 1.6 ns
產(chǎn)品類(lèi)型:
MOSFET
上升時(shí)間:
6.8 ns, 7.5 ns
工廠包裝數(shù)量:
2500
子類(lèi)別:
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:
9.4 ns, 9.1 ns
典型接通延遲時(shí)間:
4.5 ns, 4.5 ns
單位重量:
68 mg
