Vgs th - 門源門限電壓 : 2 V
Qg - 閘極充電: 68 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 125 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: Reel
配置: Single
系列: SID
晶體管類型: 1 N-Channel
品牌: Vishay / Siliconix
互導 - 最小值: 78 S
下降時間: 11 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 24 ns
原廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
標準斷開延遲時間: 30 ns
標準開啟延遲時間: 16 ns
每件重量: 750 mg
SIDR626DP-T1-GE3
發(fā)布時間:2021/6/9 17:26:00 訪問次數(shù):84 發(fā)布企業(yè):深圳市科雨電子有限公司
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