SI4425FDY-T1-GE3

製造商: Vishay
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)資料
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝/外殼: SO-8
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 30 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 18.3 A
Rds On - 漏-源電阻: 9.5 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 16 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 2.2 V
Qg - 閘極充電: 27 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 4.8 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
晶體管類型: 1 P-Channel
品牌: Vishay / Siliconix
互導(dǎo) - 最小值: 47 S
下降時(shí)間: 23 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 48 ns
原廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: MOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)斷開延遲時(shí)間: 29 ns
標(biāo)準(zhǔn)開啟延遲時(shí)間: 22 ns
每件重量: 750 mg