IGO60R070D1AUMA1

製造商: Infineon
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)資料
技術(shù): GaN
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝/外殼: PG-DSO-20
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 600 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 31 A
Rds On - 漏-源電阻: 70 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 10 V, + 10 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 900 mV
Qg - 閘極充電: 5.8 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 125 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: CoolGaN
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
下降時(shí)間: 10 ns
濕度敏感: Yes
產(chǎn)品: CoolGaN
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 7 ns
原廠包裝數(shù)量: 800
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標(biāo)準(zhǔn)斷開延遲時(shí)間: 11 ns
標(biāo)準(zhǔn)開啟延遲時(shí)間: 13 ns
零件號(hào)別名: IGO60R070D1 SP001300362
每件重量: 2.093 g