PGA26E19BA

製造商: Panasonic
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)資料
技術(shù): GaN
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝/外殼: DFN-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 600 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 19 A
Rds On - 漏-源電阻: 140 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: -
Vgs th - 門源門限電壓 : 1.2 V
Qg - 閘極充電: 2 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 83 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: X-GaN
品牌: Panasonic
配置: Single
下降時間: 2.4 ns
濕度敏感: Yes
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 5.2 ns
系列: PGA26E19BA
原廠包裝數(shù)量: 200
子類別: MOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)斷開延遲時間: 3.4 ns
標(biāo)準(zhǔn)開啟延遲時間: 3.4 ns
零件號別名: PGA26E19BA2
每件重量: 161.193 mg