NCE20ND07U_NCE60P35導(dǎo)讀
除了上述適用于電動(dòng)車(chē)控制器的NCE80H12以外，南山電子還提供風(fēng)華阻容感，長(zhǎng)晶二三極管MOS管，愛(ài)普生有源無(wú)源晶振等。
上面就是功率mos管NCE80H12的規(guī)格書(shū)，我們電動(dòng)車(chē)控制器上用的功率mos管NCE80H12其實(shí)和平常cmos集成電路中的小功率mos結(jié)構(gòu)是不一樣的。
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NCE1216
NCE30H11K NCE3402B NCE30H10AK NCE2304 NCE3404 。
電感器符合RoHS和Vishay綠色標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素。IHLP-7575GZ-51封裝采用100%無(wú)鉛（Pb）屏蔽復(fù)合結(jié)構(gòu)，蜂鳴噪聲降至超低水平，對(duì)熱沖擊、潮濕和機(jī)械振動(dòng)具有很強(qiáng)的耐受能力，可無(wú)飽和處理高瞬變電流尖峰。
Felix Zandman經(jīng)歷了大屠殺，失去了至親，在漆黑的地下、在死亡陰霾中生活了17個(gè)月，他卻并未因此一蹶不振，他在苦難中堅(jiān)強(qiáng)，以他的個(gè)人才華創(chuàng)辦了Vishay，在電子元器件行業(yè)乃至科技發(fā)展史上留下濃重的一筆。2004年 財(cái)富雜志選擇Vishay作為美國(guó)較令人欽佩的公司之一。今天Felix Zandman博士寫(xiě)的物理書(shū)在很多大學(xué)作為基礎(chǔ)教材使用，他的自傳被譯成中文和其他很多種語(yǔ)言。。
。Vishay由Felix Zandman博士在1962年創(chuàng)立，以他自己的4千美元積蓄和其表兄Alfred P. Slaner的資助起家，不斷發(fā)展成為紐約證券交易所上市的“財(cái)富1000 強(qiáng)企業(yè)”。該公司創(chuàng)始人Felix Zandman是一位科學(xué)家、發(fā)明家和企業(yè)家，擁有71項(xiàng)專利，寫(xiě)過(guò)四本書(shū)和許多論文，曾獲得美國(guó)電子工業(yè)榮譽(yù)獎(jiǎng)?wù)拢▏?guó)榮譽(yù)勛章等眾多獎(jiǎng)項(xiàng)。
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NCE60P12AS
NCE3020K NCE3025Q NCE3035K NCE3025G NCE3030K 。
一般特征 ● V DS = 30V，I D = 95A R DS（ON） <5.1mΩ@ V GS = 10V R DS（ON） <8.5mΩ@ V GS = 5V ● 高密度電池設(shè)計(jì)，超低Rdson ● 全面表征雪崩電壓和電流 ● 良好的穩(wěn)定性和均勻性高? AS ● 出色的封裝，散熱效果好。
MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管型號(hào)和增強(qiáng)型的P溝道MOS管型號(hào)，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。
。對(duì)于Vantam的模擬信號(hào)通道(包括低通濾波器[LPF]、負(fù)反饋電路[NFB]、前置放大器IC、IV轉(zhuǎn)換器及頭戴耳機(jī)放大電路)的微調(diào)，VentureCraft以前依靠含碳的厚膜片式電阻。過(guò)去幾年中，由于專注于提供音頻性能差異化，該公司轉(zhuǎn)向薄膜技術(shù)。去年，當(dāng)VentureCraft得知Vishay的薄膜MELF電阻(如圖1所示)能夠提供出色的聲音質(zhì)量后，開(kāi)始指定使用Vishay產(chǎn)品。
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MOS管NCE3401是一款-30V漏源電壓，4.2A電流，SOT-23封裝的P溝道MOS管。。
NCE25TD135LT NCE15TD135LT NCE15TD120LP NCE15TD135LP NCE25TD120LP 。
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