GD32F107VCT6是一個新的32位高性能、低功耗通用微控制器系列，由ARM®Cortex®-M3 RISC內(nèi)核提供動力，面向各種MCU應(yīng)用領(lǐng)域。
GD32F107VCT6系列集成了各種功能，以簡化系統(tǒng)設(shè)計，并通過成熟的技術(shù)和偉大的創(chuàng)新，為客戶提供范圍廣泛、全面且經(jīng)濟高效的MCU產(chǎn)品組合。
基于GigaDevice先進的專利“gFlash”內(nèi)存技術(shù)和大規(guī)模生產(chǎn)經(jīng)驗，它提供了新形式的MCU，為客戶提供高功能和高質(zhì)量。
GD32F107VCT6系列目前包括入口線、性能線和連接線。
GD32F107VCT6MCU采用32位ARM®Cortex®-M3處理器內(nèi)核，最高頻率為108 MHz，閃存訪問零等待狀態(tài)，以獲得最高效率。
GD32F107VCT6提供高達3024 KB的片上閃存和高達96 KB的SRAM內(nèi)存。
廣泛的增強型I/O和外圍設(shè)備連接到兩條APB總線。
該設(shè)備提供最多三個12位1MSPS ADC、最多十個通用16位定時器和一個PWM高級定時器，以及標準和高級通信接口：最多三個SPI、兩個I2C、五個USART、一個USB 2.0 OTG FS和兩個CAN。
該設(shè)備在2.6至3.6 V電源下工作，可在-40至+85°C溫度范圍內(nèi)使用。
三種省電模式為喚醒延遲和功耗之間的最大優(yōu)化提供了靈活性，這在低功耗應(yīng)用中尤為重要。
GD32®系列MCU也為最終用戶帶來了許多優(yōu)勢。
GD32®MCU的最高速度比市場競爭產(chǎn)品提高了50%。相同頻率的代碼執(zhí)行效率提高了30%-40%。
相同頻率的電流消耗降低了20%-30%。這些性能為各種市場需求提供了最大容量和帶寬選擇。
GD32F107VCT6非常適用于工業(yè)控制、用戶界面、電機驅(qū)動、電源監(jiān)控和報警系統(tǒng)、消費類和手持設(shè)備、太陽能光伏控制、觸摸屏、PC外圍設(shè)備等。
GD32F103CBT6
GD32F103RCT6
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韓國ICT
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