GD32F103C8T6是一個(gè)新的32位高性能、低功耗通用微控制器系列，由ARM®Cortex®-M3 RISC內(nèi)核提供動(dòng)力，面向各種MCU應(yīng)用領(lǐng)域。
GD32F103C8T6系列集成了各種功能，以簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)，并通過成熟的技術(shù)和偉大的創(chuàng)新，為客戶提供范圍廣泛、全面且經(jīng)濟(jì)高效的MCU產(chǎn)品組合。
基于GigaDevice先進(jìn)的專利“gFlash”內(nèi)存技術(shù)和大規(guī)模生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，它提供了新形式的MCU，為客戶提供高功能和高質(zhì)量。
GD32®系列目前包括入口線、性能線和連接線。
GD32®MCU采用32位ARM®Cortex®-M3處理器內(nèi)核，最高頻率為108 MHz，閃存訪問零等待狀態(tài)，以獲得最高效率。
GD32F103C8T6提供高達(dá)3024 KB的片上閃存和高達(dá)96 KB的SRAM內(nèi)存。
廣泛的增強(qiáng)型I/O和外圍設(shè)備連接到兩條APB總線。
該設(shè)備提供最多三個(gè)12位1MSPS ADC、最多十個(gè)通用16位定時(shí)器和一個(gè)PWM高級(jí)定時(shí)器，以及標(biāo)準(zhǔn)和高級(jí)通信接口：最多三個(gè)SPI、兩個(gè)I2C、五個(gè)USART、一個(gè)USB 2.0 OTG FS和兩個(gè)CAN。
該設(shè)備在2.6至3.6 V電源下工作，可在-40至+85°C溫度范圍內(nèi)使用。
三種省電模式為喚醒延遲和功耗之間的最大優(yōu)化提供了靈活性，這在低功耗應(yīng)用中尤為重要。
GD32®系列MCU也為最終用戶帶來(lái)了許多優(yōu)勢(shì)。
GD32®MCU的最高速度比市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品提高了50%。相同頻率的代碼執(zhí)行效率提高了30%-40%。
相同頻率的電流消耗降低了20%-30%。這些性能為各種市場(chǎng)需求提供了最大容量和帶寬選擇。
GD32F103C8T6非常適用于工業(yè)控制、用戶界面、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源監(jiān)控和報(bào)警系統(tǒng)、消費(fèi)類和手持設(shè)備、太陽(yáng)能光伏控制、觸摸屏、PC外圍設(shè)備等。
GD32F103CBT6
GD32F103RCT6
GD32E103C8T6
GD32F107VCT6
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GD32F407VGT6
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GD32F190R8T6
韓國(guó)ICT
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