LPC845M301JHI33E_AD1980JST導(dǎo)讀
從功能角度，模擬芯片可分為電源管理芯片（Power Management IC）以及信號(hào)鏈類(lèi)芯片（Signal Chain）兩大類(lèi)，分別用于電子設(shè)備系統(tǒng)中的電能管理及模擬/數(shù)字信號(hào)之間的轉(zhuǎn)換。
。隨著制程工藝的成熟與進(jìn)步，以及市場(chǎng)需求的增加，越來(lái)越多的公司采用20nm以下的先進(jìn)工藝設(shè)計(jì)、生產(chǎn)IC和器件，這使得越來(lái)越多的IDM和代工廠淘汰生產(chǎn)效率低下的晶圓廠。
半導(dǎo)體行業(yè)中，數(shù)字IC技術(shù)難度高，追求極好的效率，因此常談的7nm、5nm、3nm就是指應(yīng)用在數(shù)字IC制造環(huán)節(jié)的工藝制程，主要被少數(shù)幾個(gè)跨國(guó)公司把控，國(guó)產(chǎn)化率極低，所以成為市場(chǎng)較為關(guān)注的領(lǐng)域。。
那么，這是不是意味著150mm晶圓正在逐步退出歷史舞臺(tái)呢？答案是否定的，150mm晶圓依然有著巨大的市場(chǎng)空間。行業(yè)內(nèi)大量的150mm晶圓廠被關(guān)閉，越來(lái)越多的300mm晶圓廠上馬并逐步實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
模擬芯片的和芯作用就是連接現(xiàn)實(shí)世界與數(shù)字世界。我們生活的世界絕大部分信息都是由連續(xù)變量組成的，例如聲波、光強(qiáng)、電流、溫度等等，這些變量必須經(jīng)過(guò)模擬芯片的處理，才能成為數(shù)字芯片能夠計(jì)算的離散變量，即0-1變量。 。
。BQ25792采用4mm x 4mm、29引腳QFN封裝，現(xiàn)在可從TI和授權(quán)經(jīng)銷(xiāo)商處購(gòu)買(mǎi)。完整卷軸和定制卷軸可登錄TI.com及通過(guò)其他渠道獲得，1000件起購(gòu)。BQ25790采用2.9mm x 3.3mm、56引腳WCSP封裝，現(xiàn)在可從TI及其授權(quán)經(jīng)銷(xiāo)商處購(gòu)買(mǎi)。
DRV8876NPWPR DRV8872DDARQ1 DRV5013ADQDBZT DRV5013ADQDBZR TPD4E001DRLR 。
TPS63060DSCR TPS63030DSKR TPS63060DSCT TPS63070RNMR TPS630701RNMR 。
TPS60403DBVR CSD17313Q2 TPS259571DSGR TPS259571DSGT TLV3202AQDGKRQ1 。
TPS54310PWPR TPA3116D2DADR LM3429MHX/NOPB DP83867CRRGZT TPS62172DSGR 。
組件數(shù)量的減少對(duì)于諸如智能揚(yáng)聲器之類(lèi)的應(yīng)用頗有價(jià)值；而且，隨著市場(chǎng)采用率的提高，這些應(yīng)用產(chǎn)品的尺寸和成本不斷縮小。充電器可提供155 mW/mm2（100 W/in2）的功率密度，高于市場(chǎng)約兩倍。。新型降壓-升壓型充電器可幫助工程師減小解決方案尺寸和物料清單（BOM），是TI個(gè)完全集成下述組件的器件：開(kāi)關(guān)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）、充電路徑管理FET、輸入電流和充電電流檢測(cè)電路和雙輸入選擇驅(qū)動(dòng)器。
也有不同結(jié)構(gòu)，聲波以橫波(transverse)形式傳播。之前提到的BAW- SMR和FBAR?filter圖中，聲波都以縱波(longitudinal)形式傳播，即粒子震動(dòng)方向和波的傳播方向是平行的。
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