一般說明：GD32F103CBT6
GD32F103CBT6器件是基于Arm®的32位通用微控制器Cortex®-M3RISC內(nèi)核在處理能力，降低功耗方面具有最佳比率消耗和外圍設備。 Cortex®-M3是下一代處理器內(nèi)核，與嵌套向量中斷控制器（NVIC），SysTick計時器和高級調試支持。
GD32F103CBT6器件集成了Arm®Cortex®-M332位處理器內(nèi)核以108 MHz的頻率使用Flash時，訪問零等待狀態(tài)以獲得最大效率。它
提供多達3 MB的片上Flash存儲器和多達96 KB的SRAM存儲器。廣泛的連接到兩條APB總線的一系列增強型I / O和外圍設備。設備提供最多三個12位ADC，最多兩個12位DAC，最多十個通用16位定時器，兩個基本定時器加上兩個PWM高級計時器，以及標準和高級通信接口：GD32F103CBT6多達三個SPI，兩個I2C，三個USART，兩個UART，兩個I2S，一個USBD，一個CAN和一個SDIO。該器件采用2.6至3.6 V電源供電，工作溫度范圍為–40至+85°C溫度范圍。多種省電模式提供最大程度的靈活性喚醒延遲和功耗之間的優(yōu)化，這一點尤其重要低功耗應用中的考慮因素。上述功能使GD32F103CBT6器件適用于廣泛的應用，特別是在工業(yè)控制，電動機驅動器，電源監(jiān)控器和警報系統(tǒng)等領域，消費和手持設備，POS，車載GPS，可視對講，PC外設和很快
功能說明：GD32F103CBT6
3.1。 Arm®Cortex®-M3內(nèi)核
Cortex®-M3處理器是用于嵌入式系統(tǒng)的最新一代Arm®處理器。
開發(fā)它是為了提供滿足MCU需求的低成本平臺
實施，同時減少了引腳數(shù)并降低了功耗
出色的計算性能和對中斷的高級系統(tǒng)響應。
32位Arm®Cortex®-M3處理器內(nèi)核
最高108 MHz的工作頻率
單周期乘法和硬件除法器
集成嵌套向量中斷控制器（NVIC）
24位SysTick計時器
Cortex®-M3處理器基于ARMv7架構，同時支持Thumb
和Thumb-2指令集。以下列出的一些系統(tǒng)外圍設備也由
Cortex®-M3：GD32F103CBT6
與I代碼總線，D代碼總線，系統(tǒng)總線，專用總線連接的內(nèi)部總線矩陣
外圍總線（PPB）和調試訪問。
嵌套向量中斷控制器（NVIC）。
閃存修補程序和斷點（FPB）。
數(shù)據(jù)觀察點和跟蹤（DWT）。
儀器跟蹤宏單元（ITM）。
嵌入式跟蹤宏單元（ETM）。
串行線JTAG調試端口（SWJ-DP）。
跟蹤端口接口單元（TPIU）。
內(nèi)存保護單元（MPU）。
3.2。片上存儲器GD32F103CBT6
高達3072 KB的閃存
高達96 KB的SRAM
Arm®Cortex®-M3處理器采用哈佛架構，可以單獨使用
總線以獲取指令并加載/存儲數(shù)據(jù)。 3072 KB的內(nèi)部Flash和96 KB的內(nèi)部Flash
內(nèi)部SRAM最多可用于存儲程序和數(shù)據(jù)，都可以在CPU上進行訪問（R / W）
等待狀態(tài)為零的時鐘速度。表2-4。GD32F103CBT6的內(nèi)存映射顯示
GD32F103CBT6系列設備的內(nèi)存映射，包括代碼，SRAM，外設和
其他預定義區(qū)域。
3.3。時鐘，重置和電源管理GD32F103CBT6
內(nèi)部8 MHz工廠調整的RC和外部4至16 MHz晶體振蕩器
內(nèi)部40 KHz RC校準振蕩器和外部32.768 KHz晶體振蕩器
集成系統(tǒng)時鐘PLL
2.6至3.6 V應用電源和I / O
電源監(jiān)控器：POR（上電復位），PDR（掉電復位）和低電壓
探測器（LVD）GD32F103CBT6
時鐘控制單元提供一系列頻率和時鐘功能。這些包括
內(nèi)部8M RC振蕩器（IRC8M），高速晶體振蕩器（HXTAL），低速
內(nèi)部40K RC振蕩器（IRC40K），低速晶體振蕩器（LXTAL），鎖相
環(huán)路（PLL），HXTAL時鐘監(jiān)視器，時鐘預分頻器，時鐘多路復用器和時鐘門控
電路。 AHB，APB2和APB1域的頻率可以分別配置
預分頻器。 AHB，APB2和APB1域的最大頻率為108 MHz / 108
MHz / 54 MHz。參見圖2-8。有關詳細信息，請參見GD32F103CBT6時鐘樹。
GD32F103CBT6復位控制包括三種復位控制：電源復位，系統(tǒng)復位
重置和備份域重置。系統(tǒng)重置將重置處理器核心和外圍設備
IP組件（SW-DP控制器和備份域除外）。上電復位
（POR）和掉電復位（PDR）始終處于活動狀態(tài)，并確保啟動正確的操作
從2.6V /下降至2.6V。當VDD低于指定電壓時，器件保持復位模式
臨界點。嵌入式低壓檢測器（LVD）監(jiān)控電源，比較
它達到電壓閾值并生成中斷，作為警告消息，以引導
MCU變成安全。
電源方案：GD32F103CBT6
VDD范圍：2.6至3.6 V，用于I / O的外部電源和內(nèi)部穩(wěn)壓器。
通過VDD引腳從外部提供。
VSSA，VDDA范圍：2.6至3.6 V，用于ADC的外部模擬電源，復位模塊，
RC和PLL。 VDDA和VSSA必須分別連接到VDD和VSS。
VBAT范圍：1.8至3.6 V，RTC電源，外部時鐘32 KHz振蕩器和
當VDD不存在時（通過電源開關）備份寄存器。
3.4。開機模式GD32F103CBT6
在啟動時，啟動引腳用于選擇以下三個啟動選項之一：
從主閃存啟動（默認）
從系統(tǒng)內(nèi)存啟動
從片上SRAM引導
引導加載程序位于內(nèi)部引導ROM內(nèi)存（系統(tǒng)內(nèi)存）中。它用來如果設備是USB，請使用USART0（PA9和PA10）對閃存進行重新編程。GD32F103xF / G / I / K，USART1（PA2和PA3）也可用于啟動功能。它也可以用于傳輸和更新閃存代碼，數(shù)據(jù)和向量表部分。默認情況下，選擇從閃存的存儲區(qū)0引導。它還支持啟動通過在選項字節(jié)中設置一個位來從閃存的存儲體1中進行選擇。
詳細參數(shù)：GD32F103CBT6
參數(shù)名稱參數(shù)值
生命周期聯(lián)系制造商
IHS制造商GIGADEVICE SEMICONDUCTOR INC
零件包裝代碼
包裝說明LQFP-48
達到合規(guī)性代碼未知
風險等級5.8GD32F103CBT6
最高速度（MHz）108
內(nèi)存（字節(jié)）閃存128K
內(nèi)存（字節(jié)）SRAM 20K
I / O最高37
計時器GPTM（32位）
計時器GPTM（16位）3
計時器高級TM（16位）1
計時器基本TM（16位）
計時器SysTick（24位）1
定時器WDG 2
計時器RTC 1GD32F103CBT6
連接性USART
連接性I2C 2
連接性SPI 2
連接性USB 2 FS 1
連接性I2S
連接性比較
連接性運算放大器
模擬接口12位ADC單元（CH）2（10）
模擬接口12位DAC單元
封裝LQFP48
以下物料均有現(xiàn)貨庫存：GD32F103CBT6
GD32F103RCT6
GD32F103CBT6
GD32F107RCT6
GD32F103C8T6
GD32F130C8T6
GD32F130F8P6TR
GD32F150C8T6
GD32F150G8U6
GD32F103VBT6
GD32F103RBT6
GD32F103TBU6
GD32F103VCT6
GD32F103VGT6
GD32F103VET6
GD32F103RET6
GD32F105VCT6
GD32F105RCT6
GD32F107VCT6
GD32F303VET6
GD32F303RCT6
GD32F305VCT6
GD32F330C8T6
GD32F330CBT6
GD32F350G6U6TR
GD32F303CCT6
GD32F303RGT6
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