制造商: Infineon
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 80 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 8.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 55 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Tube
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
下降時(shí)間: 8 ns
高度: 15.65 mm
長(zhǎng)度: 10 mm
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 42 ns
系列: OptiMOS 3
工廠包裝數(shù)量: 50
子類(lèi)別: MOSFETs
晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 31 ns
典型接通延遲時(shí)間: 18 ns
寬度: 4.4 mm
零件號(hào)別名: SP000680840 IPP86N1N3GXK IPP086N10N3GXKSA1
單位重量: 2 g
