制造商:
onsemi
產(chǎn)品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
APMCA-16
晶體管極性:
N-Channel
通道數(shù)量:
4 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
650 V
Id-連續(xù)漏極電流:
26 A
Rds On-漏源導通電阻:
82 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
5 V
Qg-柵極電荷:
79.7 nC
最小工作溫度:
- 40 C
最大工作溫度:
+ 125 C
Pd-功率耗散:
126 W
通道模式:
Enhancement
封裝:
Tube
商標:
onsemi
產(chǎn)品類型:
MOSFET
工廠包裝數(shù)量:
72
子類別:
MOSFETs
NXV65HR82DS1
發(fā)布時間:2021/10/21 16:37:00 訪問次數(shù):163 發(fā)布企業(yè):深圳市科雨電子有限公司
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