制造商:
onsemi
產(chǎn)品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細(xì)信息
技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
TO-247-3
晶體管極性:
N-Channel
通道數(shù)量:
1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
650 V
Id-連續(xù)漏極電流:
36 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:
95 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
- 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
3 V
Qg-柵極電荷:
66 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
272 W
通道模式:
Enhancement
商標(biāo)名:
SuperFET III
封裝:
Tube
商標(biāo):
onsemi
配置:
Single
下降時(shí)間:
24 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值:
22 S
產(chǎn)品類型:
MOSFET
上升時(shí)間:
28 ns
系列:
SuperFET3
工廠包裝數(shù)量:
450
子類別:
MOSFETs
晶體管類型:
1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:
72 ns
典型接通延遲時(shí)間:
28 ns
單位重量:
6 g
NTHL095N65S3HF
發(fā)布時(shí)間:2021/10/21 16:38:00 訪問次數(shù):162 發(fā)布企業(yè):深圳市科雨電子有限公司
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