SNJ54HC00FK_SN75C189DR導(dǎo)讀
數(shù)十年來，德州儀器（ TI ）公司（ 納斯達(dá)克股票代碼：TXN ）一直在不斷取得進(jìn)展。 我們是一家全1球性的半導(dǎo)體公司，致力于設(shè)計(jì)、制造、測(cè)試和銷售模擬和嵌入式處理芯片。
而新推出的C2000 F2838x微控制器并不依賴外部ASIC，從而減小了整體解決方案的尺寸，并減少了所用的素材方面。具有通信接口的系統(tǒng)通常需要一個(gè)外部專用集成電路(ASIC)或?qū)Ｓ玫闹鳈C(jī)控制微處理器，但這會(huì)降低設(shè)計(jì)架構(gòu)的靈活性，增加復(fù)雜性，并占用電路板上的空間。 。
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SN74AS04
LRC-LRF2512LF-01-R018-F CHP1501R00FLF PFC-W1206LF-03-1002-B CAW1033R0JLF CAW106R80JLF 。
這些器件采用創(chuàng)新型架構(gòu)，此架構(gòu)在PCIe連接上結(jié)合NVMe協(xié)議，提供比SATA SSD較多快10倍的快速企業(yè)級(jí)閃存性能，以及節(jié)省電源和機(jī)架空間的3D NAND高密度存儲(chǔ)。供應(yīng)的Micron 9200系列SSD將3D NAND和NVME技術(shù)的功能融合到企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品中。。
LRC-LRF1206LF-01-R020-F CAW51R50JLF CAW510R0JLF SMC210049R9FLF-13 。
9200 ECO 硬盤的較高容量為8 TB或11 TB，設(shè)計(jì)為每天不到一次滿盤寫入。。Micron 9200包括三個(gè)耐久等級(jí)：9200 PRO 主要面向讀取密集型應(yīng)用場(chǎng)景，大約每天可以滿盤寫入一次 (DWPD)，容量從1.9 TB到7.6 TB，而9200 MAX 支持讀寫混合型應(yīng)用場(chǎng)景，容量從1.6 TB到6.4 TB，大約每天可以滿盤寫入三次。
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CD74HC30NSR
5B37 5B37-J-03 5B37-K-02 5B41-03 其他被動(dòng)元件 6525ACA 700-TBR24 71006AE2 71008AE1 71010AE0 71021AE1 。
CVF51002JLF CAF51500JLF CAW104R70JLF CAW5R560JLF SPH1000J 。
ACU2109 ACU2109RS3P1 ACU2109S3CTR ACU2109S3CTR IC ACU50572 ACU50750 ACU50750S3CTR ACU50751 ACU50752 ACY22 。
71022AE3 71025AE3 7180W 74088820 74088820APSE-QAA 7B30-02-1 7B32-01-1 7B34-03-1 7B34-04-1 7B34-04-1 其他被動(dòng)元件。
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無線網(wǎng)絡(luò)是這種數(shù)據(jù)遷移的核心，通過連接設(shè)備連接最后一英里的能力是數(shù)據(jù)循環(huán)的關(guān)鍵部分�！薄I互連微控制器事業(yè)部的副總裁Ray Upton表示：“通過運(yùn)用并分析大量的數(shù)據(jù)做出準(zhǔn)確、明智的決策是一項(xiàng)非常重要的創(chuàng)新能力。
典型的基本結(jié)構(gòu)如上圖(a)，上下金屬電極中間夾著壓電層，對(duì)應(yīng)的mBVD等效電路如上圖(b)，對(duì)應(yīng)的阻抗如上圖(c)，可以看出有兩個(gè)resonance頻率，串聯(lián)(fs)和并聯(lián)(fp)。工作原理如下圖。
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