LVT125_TPS2066DR導(dǎo)讀
。具體如下圖所示。據(jù)IC Insights統(tǒng)計，在過去的10年中(2009-2018年)，全11球半導(dǎo)體制造商總共關(guān)閉或重建了97座晶圓廠。其中，關(guān)閉了42座150mm晶圓廠和24座200mm晶圓廠，而關(guān)閉的300mm晶圓廠數(shù)量僅占關(guān)閉總數(shù)的10%。
新型降壓-升壓型充電器可幫助工程師減小解決方案尺寸和物料清單（BOM），是TI個完全集成下述組件的器件：。充電器可提供155 mW/mm2（100 W/in2）的功率密度，高于市場約兩倍。
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9200 SSD為應(yīng)用程序和數(shù)據(jù)庫加速、在線事務(wù)處理 (OLTP)、高頻交易和高性能計算等高要求功能提供高容量、快速度和低延遲，是市場上首批容量超過10 TB的NVMe SSD之一。。
LRC-LRF1206LF-01-R020-F CAW51R50JLF CAW510R0JLF SMC210049R9FLF-13 。
這些器件采用創(chuàng)新型架構(gòu)，此架構(gòu)在PCIe連接上結(jié)合NVMe協(xié)議，提供比SATA SSD較多快10倍的快速企業(yè)級閃存性能，以及節(jié)省電源和機架空間的3D NAND高密度存儲。供應(yīng)的Micron 9200系列SSD將3D NAND和NVME技術(shù)的功能融合到企業(yè)級存儲產(chǎn)品中。。
組件數(shù)量的減少對于諸如智能揚聲器之類的應(yīng)用頗有價值；而且，隨著市場采用率的提高，這些應(yīng)用產(chǎn)品的尺寸和成本不斷縮小。開關(guān)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）、充電路徑管理FET、輸入電流和充電電流檢測電路和雙輸入選擇驅(qū)動器。
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CVF51002JLF CAF51500JLF CAW104R70JLF CAW5R560JLF SPH1000J 。
BQ25790和BQ25792是TI首款靜態(tài)電流低于1 ?A的多電芯的降壓-升壓電池充電器。結(jié)合極低的8mΩ電池FET電阻，工程師可進一步延長電池運行時間。通過運輸模式和關(guān)機功能將靜態(tài)電流降低多達(dá)十倍，所提供的電池待機時間比市場高至少五倍。
TPS560430XFDBVR XTR117AIDGKR CSD15380F3T MSP-EXP432P401R TPS2051BDBVR 。
TPS65400RGZR TPS65400RGZT TPS92515QDGQRQ1 TPS92515QDGQTQ1 TPS560430XFDBVT 。
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以上就是可將數(shù)據(jù)中心吞吐量和存儲容量提高的Micron 9200 NVMe SSD解析，希望能給大家?guī)椭�。�?
而對于SAW，也叫Rayleighsurface wave，既有縱波也有橫波。固體中粒子以橢圓軌跡震動，橢圓的長軸垂直于固體表面，隨著固體徐州百都網(wǎng)絡(luò)越深，粒子運動幅度越小。。
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