AD11/2016-0REEL_AD1937WBSTZ-R導(dǎo)讀
2019年4月,Diodes公司完成了對(duì)位于英國(guó)蘇格蘭Greenock的德州儀器150mm / 200mm晶圓廠(GFAB)的收購,這也是TI逐步摒棄落后產(chǎn)能策略的一部分。德州儀器目前在9個(gè)國(guó)家有15座晶圓廠,當(dāng)然,這些廠房中包括即將關(guān)閉的落后產(chǎn)能,以及新建的300mm產(chǎn)能。
。據(jù)IC Insights統(tǒng)計(jì),在過去的10年中(2009-2018年),全11球半導(dǎo)體制造商總共關(guān)閉或重建了97座晶圓廠。具體如下圖所示。其中,關(guān)閉了42座150mm晶圓廠和24座200mm晶圓廠,而關(guān)閉的300mm晶圓廠數(shù)量?jī)H占關(guān)閉總數(shù)的10%。
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AD1582ART-RL7
AD1385KD AD1403AN AD1403N AD1403N AD15/112 。
AD1021AARQZ AD1021AARQZ AD1021ARQ AD1021RQ AD1021RQ 。
AD1580BKSZ-REEL7 AD1580BRT AD1580BRT-R2 AD1580BRT-REEL7 AD1580BRT-REEL7 。
AD1380KD AD1380KD AD1380KD/JD AD1382KD AD1382KD AD1385JD 。
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不過薄膜結(jié)構(gòu)需要足夠堅(jiān)固以至于在后續(xù)工藝中不受影響。相比BAW-SMR,membrane type 較少一部分跟底下substrate接觸,不好散熱。
因?yàn)橹皇沁吘壊糠指紫聅ubstrate接觸,這種結(jié)構(gòu)在受到壓力時(shí)相對(duì)脆弱,而且跟membrane type類似,散熱問題同樣需要關(guān)注。Airgap type在制作壓電層之前沉積一個(gè)輔助層(sacrificial support layer),最后再把輔助層去掉,在震蕩結(jié)構(gòu)下方形成air gap。
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