TAJB225M016RNJ_TAJB225M016RNJ導(dǎo)讀
今天給大家介紹一款適用于鋰電池保護(hù)板可替代AO3401等MOS管的國(guó)產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)管：NCE3401。
TAJB225M016RNJ_TAJB225M016RNJ" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113372847284.jpg" />
TAJB474K035RNJ
。IGBT的結(jié)構(gòu) IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由晶體三極管和MOS管組成的復(fù)合型半導(dǎo)體器件。
IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實(shí)際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存在導(dǎo)通電阻高的缺點(diǎn)，但I(xiàn)GBT克服了這一缺點(diǎn)，在高壓時(shí)IGBT仍具有較低的導(dǎo)通電阻。 IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能會(huì)慢于MOSFET，因?yàn)镮GBT存在關(guān)斷拖尾時(shí)間，由于IGBT關(guān)斷拖尾時(shí)間長(zhǎng)，死區(qū)時(shí)間也要加長(zhǎng)，從而會(huì)影響開關(guān)頻率。MOS管和IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn) MOS管和IGBT管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示。
060310R5% 060312K5% 060315K1% 060315K5% 0603180K5% 。
TPCS8205 TPCS8212 TSM6866SDCA RV UPA1852GR-9JG-A UT8205A 。
TAJB225M016RNJ_TAJB225M016RNJ" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113473287328.jpg" />
TLJS476M010R1500
TAJA105M016RNJ TAJA105M020RNJ TAJA105M025RNJ TAJA105M035RNJ TAJA105M050RNJ TAJA106K004RNJ TAJA106K006RNJ TAJA106K010RNJ TAJA106K016RNJ TAJA106M004RNJ 。
051N15N5MOS 052N06L 053P04-518 054NE8N 057N06N 。
BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。
0603180R5% 06031M5% 06032.2K5% 0603220R5% 060322K5% 。
TAJB225M016RNJ_TAJB225M016RNJ" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/2021071011340566566.jpg" />
總的來說，MOSFET優(yōu)點(diǎn)是高頻特性好，可以工作頻率可以達(dá)到幾百kHz、上MHz，缺點(diǎn)是導(dǎo)通電阻大在高壓大電流場(chǎng)合功耗較大；而IGBT在低頻及較大功率場(chǎng)合下表現(xiàn)卓越，其導(dǎo)通電阻小，耐壓高。
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