TAJB334K050RNJ_TAJB334K050RNJ導(dǎo)讀
上面就是功率mos管NCE80H12的規(guī)格書，我們電動車控制器上用的功率mos管NCE80H12其實(shí)和平常cmos集成電路中的小功率mos結(jié)構(gòu)是不一樣的。
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TAJE107M025RNJ
STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。
TPCS8205 TPCS8212 TSM6866SDCA RV UPA1852GR-9JG-A UT8205A 。
040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。
AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。
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TLJF227M010R0300
BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。
BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。
040251K1% 040251R5% 040268K1% 04028.2K5% 0402E4872BITS 。
BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。
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總的來說，MOSFET優(yōu)點(diǎn)是高頻特性好，可以工作頻率可以達(dá)到幾百kHz、上MHz，缺點(diǎn)是導(dǎo)通電阻大在高壓大電流場合功耗較大；而IGBT在低頻及較大功率場合下表現(xiàn)卓越，其導(dǎo)通電阻小，耐壓高。
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