TAJB336K010RNJ_TAJB336K010RNJ導(dǎo)讀
小功率mos是平面型結(jié)構(gòu)。而電動車上上用的功率mos是立體結(jié)構(gòu)。我們所見的mos管，其實內(nèi)部由成千上萬個小mos管并聯(lián)而成，大家可能會想成千上萬個小mos應(yīng)該很容易出現(xiàn)一個或幾個壞的吧，其實真沒那么容易，目前的制造工藝基本保證了這些小單位各種參數(shù)高度一致性。
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TLJT226M016R1000
SP8K4-TB SPN4972S8RG SQ4282EY-T1-GE3 STN4972 STS8DN3LLH5 。
IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存在導(dǎo)通電阻高的缺點，但IGBT克服了這一缺點，在高壓時IGBT仍具有較低的導(dǎo)通電阻。 IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能會慢于MOSFET，因為IGBT存在關(guān)斷拖尾時間，由于IGBT關(guān)斷拖尾時間長，死區(qū)時間也要加長，從而會影響開關(guān)頻率。MOS管和IGBT的結(jié)構(gòu)特點 MOS管和IGBT管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示。
AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。
040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。
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TAJB225M020RNJ
0603180R5% 06031M5% 06032.2K5% 0603220R5% 060322K5% 。
0402220K5% 040222R5% 040225.5K1% 0402270R5% 04022K5% 。
TAJA224K050RNJ TAJA224M035RNJ TAJA224M050RNJ TAJA225K006RNJ TAJA225K010RNJ TAJA225K016RNJ TAJA225K020RNJ TAJA225K025RNJ TAJA225K035RNJ TAJA225M006RNJ 。
BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。
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MOSFET應(yīng)用于開關(guān)電源、鎮(zhèn)流器、高頻感應(yīng)加熱、高頻逆變焊機、通信電源等等高頻電源領(lǐng)域；IGBT集中應(yīng)用于焊機、逆變器、變頻器、電鍍電解電源、超音頻感應(yīng)加熱等領(lǐng)域。
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