TAJB336M010RNJ_TAJB336M010RNJ導(dǎo)讀
這個內(nèi)阻大小基本決定了MOS管芯片能承受得多大導(dǎo)通電流（當(dāng)然和其它因素有關(guān)，如熱阻）。內(nèi)阻越小承受電流越大（因為發(fā)熱小）。這個電流通路的電阻被稱為MOS管內(nèi)阻，也就是導(dǎo)通電阻。
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TAJB154M050RNJ
MOSFET具有輸入阻抗高、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性，在電路中，可以用作放大器、電子開關(guān)等用途。 2）、防止MOS管的源極和漏極反接時燒壞MOS管，也可以在電路有反向感生電壓時，為反向感生電壓提供通路，避免反向感生電壓擊穿MOS管。關(guān)于寄生二極管的作用，有兩種解釋： 1）、MOSFET的寄生二極管，作用是防止VDD過壓的情況下，燒壞MOS管，因為在過壓對MOS管造成破壞之前，二極管先反向擊穿，將大電流直接到地，從而避免MOS管被燒壞。
AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。
IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存在導(dǎo)通電阻高的缺點，但I(xiàn)GBT克服了這一缺點，在高壓時IGBT仍具有較低的導(dǎo)通電阻。 IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能會慢于MOSFET，因為IGBT存在關(guān)斷拖尾時間，由于IGBT關(guān)斷拖尾時間長，死區(qū)時間也要加長，從而會影響開關(guān)頻率。MOS管和IGBT的結(jié)構(gòu)特點 MOS管和IGBT管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示。
SP8K4-TB SPN4972S8RG SQ4282EY-T1-GE3 STN4972 STS8DN3LLH5 。
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TAJB475K020RNJ
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0402220K5% 040222R5% 040225.5K1% 0402270R5% 04022K5% 。
0603180R5% 06031M5% 06032.2K5% 0603220R5% 060322K5% 。
BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。
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NCE25TD135LP NCE1608N NCE18ND11U NCE3134 NCE20ND07U 。
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